[实用新型]触控感应液晶单元

说明书

 技术领域：

本实用新型涉及的是一种用于内嵌电容式液晶触摸屏中的触控感应液晶单元，属于液晶显示器技术领域。

背景技术：

触控技术给人们带来了更加人性化的人机互动操作方式，逐渐成为一种主流的操控技术。触摸屏技术自从上世纪70年代发明以来，进过40多年的发展，触摸屏技术可按传感器的类型大致可分为四类：电容式、电阻式、红外式和声波式，其中电容式触摸屏由于支持多点触控、定位精确、使用寿命长等优点，已经占据现在大部分的触控市场份额。目前电容式触摸屏绝大部分采用的都是外挂式的结构，外挂式结构的触控面板和显示面板是两个相对独立的器件，通过直接的上下叠合组装两个器件。这种直接将触控面板贴合于显示面板上的方式，不可避免的给显示器增加一个触控面板的厚度和重量，不符合现在市场显示器向轻薄化发展的趋势，同时触控面板的层数较多，会造成透光率的下降，严重影响显示器的显示效果。

发明内容

本实用新型提出的是一种用于内嵌电容式液晶触摸屏中的触摸控感应液晶单元，其目的旨在使内嵌电容式触摸液晶显示器可克服现有技术所存在的上述缺陷，电容式触控感应模块也完全内嵌入液晶显示模块内。

本实用新型的技术解决方案：其特征是触控感应液晶单元位于相邻的两条第一铟锡氧化物ITO层和两条第二铟锡氧化物ITO层相互垂直形成的像素电极矩阵内，触摸控感应单元由第一薄层晶体管TFT1、第二薄层晶体管TFT2、第三薄层晶体管TFT3、储存电容电极线、感应液晶电容电极线、数据读取线线、第一像素电极、第二像素电极以及若干柱状连接点组成，其中感应液晶电容电极线和储存电容电极线设置在同一层，感应液晶电容电极线平行于第一铟锡氧化物ITO层，储存电容电极线平行于第二铟锡氧化物ITO层，数据读取线平行于第一铟锡氧化物ITO层；第一薄层晶体管TFT1的栅极连接到第一铟锡氧化物ITO层，第一薄层晶体管TFT1的源极连接到第二铟锡氧化物ITO层，第一薄层晶体管TFT1的漏极通过流向感应液晶电容和储存电容的连结点（P）分别连接到感应液晶电容和储存电容的第一电容电极，感应液晶电容的第二电容电极连接一个电源电压，储存电容电极的第二电容电极线连接到数据读取线；第二薄层晶体管TFT2的栅极连接到第一铟锡氧化物ITO层，第二薄层晶体管TFT2的源极连接到另一个电源电压，第二薄层晶体管TFT2的漏极连接到第三薄层晶体管TFT3的源极，第三薄层晶体管TFT3的漏极连接到第二铟锡氧化物ITO层，第三薄层晶体管TFT3的栅极连接到数据读出线。

本实用新型的优点：用触摸控感应液晶单元的内嵌电容式触摸液晶显示器相对于现有的公知技术，除将电容式触控感应模块完全内嵌入液晶显示模块内外，还具有以下技术特点：将第一和第二铟锡氧化物ITO层设置在液晶层的上下两端；引入两个像素电极，与第二铟锡氧化物ITO层设置在同一层；在第二玻璃基板上设置一钝化层，钝化层中设置感应液晶电容线和储存电容线，分别与像素电极形成感应液晶电容和储存电容；并且通过感应单元内的线路设计，将触控模块的输出电压作为显示模块的Vcom，从而将显示模块的Vcom也设置在第二铟锡氧化物ITO层。本发明通过将第二铟锡氧化物ITO层、像素电极和显示模块Vcom设置在一层中，减少层数，简化结构，提高透光率，同时该设计消除了内嵌式结构存在的信号干扰和噪声问题，且无需再对彩色滤光片和液晶显示模块线路等进行改造。

附图说明

附图1是内嵌电容式液晶触摸屏第一实施方式的侧面结构示意图。

附图2是触摸控感应液晶单元的俯视结构示意图。

附图3是内嵌电容式液晶触摸屏的线路结构示意图。

图中的1是第一透明玻璃基板层、2是彩色滤光层、3是第一铟锡氧化物ITO层、4是液晶层、5是第二铟锡氧化物ITO层、6是第一像素电极层、7是平面化层、8是第一漏极、9是半导体层、10是钝化层、11是第二透明玻璃基板层、12是TFT3的源极、13 是半导体层、14是第二漏极、15是储存电容电极线、16是数据读出线、17是TFT2的源极、18是TFT有源矩阵层、19是偏振器层、20是背光模组、21是感应液晶电容、22是储存电容、23是第二像素电极层、24是感应液晶电容电极线，P是流向感应液晶电容和储存电容的连结点。

具体实施方式