[实用新型]一种内嵌电容式液晶触摸屏有效

专利信息
申请号: 201120248740.9 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN202142046U 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 吕明;吕延;司云聪;陈忠国;吉群 申请(专利权)人: 南京华东电子信息科技股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G02F1/133
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210061 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 液晶 触摸屏
【说明书】:

 技术领域:

本实用新型涉及的是一种内嵌电容式液晶触摸屏,属于液晶显示器技术领域。

背景技术:

触控技术给人们带来了更加人性化的人机互动操作方式,逐渐成为一种主流的操控技术。触摸屏技术自从上世纪70年代发明以来,进过40多年的发展,触摸屏技术可按传感器的类型大致可分为四类:电容式、电阻式、红外式和声波式,其中电容式触摸屏由于支持多点触控、定位精确、使用寿命长等优点,已经占据现在大部分的触控市场份额。目前电容式触摸屏绝大部分采用的都是外挂式的结构,外挂式结构的触控面板和显示面板是两个相对独立的器件,通过直接的上下叠合组装两个器件。这种直接将触控面板贴合于显示面板上的方式,不可避免的给显示器增加一个触控面板的厚度和重量,不符合现在市场显示器向轻薄化发展的趋势,同时触控面板的层数较多,会造成透光率的下降,严重影响显示器的显示效果。

发明内容

本实用新型提出的是一种内嵌电容式液晶触摸屏,其目的旨在克服现有技术所存在的上述缺陷,将电容式触控感应模块完全内嵌入液晶显示模块内。

本实用新型的技术解决方案:其特征是包括第一透明玻璃基板层、第二透明玻璃基板层、第一铟锡氧化物ITO层、第二铟锡氧化物ITO层、彩色滤光片层、液晶层、TFT有源矩阵层、背光模组、偏振器层、平面化层、钝化层;其中,彩色滤光片层贴合于第一透明玻璃基板层的下部,第一铟锡氧化物ITO层贴合于彩色滤光片的下部,像素电极层与第二铟锡氧化物ITO层在同一平面,液晶层位于彩色滤光片层和第一像素电极层之间,第一像素电极层下部依次为平面化层、钝化层、第二玻璃基板层、TFT有源矩阵层、偏振器层、背光模组;嵌入在显示模块内的触摸感应器件的结构包括若干触摸控感应单元,该触摸控感应单元位于由两条第一铟锡氧化物ITO层和两条第二铟锡氧化物ITO层垂直排列形成的像素电极矩阵内。

本实用新型优点:相对于现有的公知技术,除将电容式触控感应模块完全内嵌入液晶显示模块内外,还具有以下技术特点:将第一和第二铟锡氧化物ITO层设置在液晶层的上下两端;引入两个像素电极,与第二铟锡氧化物ITO层设置在同一层;在第二玻璃基板上设置一钝化层,钝化层中设置感应液晶电容线和储存电容线,分别与像素电极形成感应液晶电容和储存电容;并且通过感应单元内的线路设计,将触控模块的输出电压通过像素电极作为显示模块的Vcom,从而将显示模块的Vcom也设置在第二铟锡氧化物ITO层。本发明通过将第二铟锡氧化物ITO层、像素电极和显示模块Vcom设置在一层中,减少层数,简化结构,提高透光率,同时该设计消除了内嵌式结构存在的信号干扰和噪声问题,且无需再对彩色滤光片和液晶显示模块线路等进行改造。

附图说明

附图1是内嵌电容式液晶触摸屏第一实施方式的侧面结构示意图。

附图2是触摸控感应液晶单元的俯视图。

附图3是内嵌电容式液晶触摸屏的线路结构示意图。

图中的1是第一透明玻璃基板层、2是彩色滤光层、3是第一铟锡氧化物ITO层、4是液晶层、5是第二铟锡氧化物ITO层、6是第一像素电极层、7是平面化层、8是第一漏极、9是半导体层、10是钝化层、11是第二透明玻璃基板层、12是TFT3的源极、13 是半导体层、14是第二漏极、15是储存电容电极线、16是数据读出线、17是TFT2的源极、18是TFT有源矩阵层、19是偏振器层、20是背光模组、21是感应液晶电容、22是储存电容、23是第二像素电极层、24是感应液晶电容电极线。P是流向感应液晶电容和储存电容的连结点。

具体实施方式

对照附图1,内嵌电容式液晶触摸屏,包括第一透明玻璃基板层1、第二透明玻璃基板层11、第一铟锡氧化物ITO层3、第二铟锡氧化物ITO层5、彩色滤光片层2、液晶层4、TFT有源矩阵层18 、背光模组20、偏振器层19、平面化层7、钝化层10;其中,彩色滤光片层2贴合于第一透明玻璃基板层1的下部,第一铟锡氧化物ITO层3贴合于彩色滤光片的下部,像素电极层6与第二铟锡氧化物ITO层5在同一平面,液晶层4位于彩色滤光片层2和第一像素电极层6之间,第一像素电极层6下部依次为平面化层7、钝化层10、第二玻璃基板层11、TFT有源矩阵层18、偏振器层19、背光模组20;嵌入在显示器内的触摸感应器件包括若干触摸控感应单元,该触摸控感应单元位于由第一铟锡氧化物ITO层3和第二铟锡氧化物ITO层5垂直排列形成的像素电极矩阵内。

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