[实用新型]一种顶闸极型晶体管数组基板有效
| 申请号： | 201120249000.7 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN202189786U | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郑晃忠;黄昱智;杨柏宇;姜信铨;李怀安 | 申请（专利权）人： | 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 顶闸极型 晶体管 数组 | ||
1.一种顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述顶闸极型晶体管数组基板包括：
一透明基板，具有一平面；
一离子释出层，设置于所述透明基板上，并全面性地覆盖所述平面；
一像素数组，设置于所述离子释出层上，并包括多个晶体管与多个像素电极，各所述晶体管包括：
一源极，设置于所述离子释出层上；
一汲极，设置于所述离子释出层上，所述像素电极分别电性连接所述汲极；
一金氧半导体层，设置于所述离子释出层上，并接触所述离子释出层、所述源极与所述汲极，所述金氧半导体层局部覆盖所述源极与所述汲极，所述离子释出层适于释出多个离子至所述金氧半导体层中；
一闸极，设置于所述金氧半导体层的上方；以及
一第一绝缘层，设置于所述金氧半导体层与所述闸极之间，并覆盖所述金氧半导体层、所述源极以及所述汲极。
2.如权利要求1所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述离子释出层为一二氧化钛层。
3.如权利要求2所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述二氧化钛层为一非晶二氧化钛层或一多晶二氧化钛层。
4.如权利要求1所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述离子释出层为一陶瓷层。
5.如权利要求1所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述金氧半导体层为一铟镓锌氧化物层或一铟锡锌氧化物层。
6.如权利要求1所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述顶闸极型晶体管数组基板还包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层上，并覆盖所述晶体管，所述像素电极设置于所述第二绝缘层上。
7.如权利要求6所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述像素数组还包括多条数据线，所述数据线设置于所述第二绝缘层上，并分别电性连接所述源极。
8.如权利要求7所述的顶闸极型晶体管数组基板，其特征在于，所述像素数组还包括：
多个第一导电柱，设置于所述第二绝缘层内，并连接于所述像素电极与所述汲极之间；以及
多个第二导电柱，设置于所述第二绝缘层内，并连接于所述数据线与所述源极之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
