[实用新型]采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构无效
申请号: | 201120249488.3 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN202120964U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 肖柏愚;马力 | 申请(专利权)人: | 肖柏愚;马力 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈毅 |
地址: | 213000 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 电容 结构 太阳能 薄膜 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构。
背景技术
随着人们对环境问题和能源利用的关注程度越来越高,太阳能电池作为能将太阳能转换为高效率能量的转换介质,也越来越受到人们的关注。太阳能电池是通过光电效应直接把光能转换为电能的装置,它是一种新型清洁能源,市场前景广阔。传统的太阳能电池,例如目前常用的单晶硅、多晶硅电池片,P-I-N太阳能薄膜电池,现有的P-I-N太阳能薄膜电池是由透明电极1、P层2、I层3、N层4和电极5依次层叠而成,这种结构俘获光生载流子能力低,从而导致光电转换效率低下。
实用新型内容
为了克服现有的太阳能电池光电转换效率低的不足,本实用新型提供了一种采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构,包括依次层叠的透明电极、P层、I层、N层和电极,所述电极还依次连接绝缘层和背面电极,所述透明电极与背面电极连接,并施加电压。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述P层、I层和N层的层叠关系为P层、I层、N层依次层叠或者N层、I层、P层依次层叠。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述正面电极与背面电极连接。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述绝缘层为PP、PET、聚酰亚胺或者二氧化硅。
本实用新型的有益效果是,这种新的电容结构太阳能电池通过增加外加电场进一步加宽PN结的耗尽层,能使光生载流子中电子-空穴对快速分离移向两侧电极,从而提高太阳能电池的光电转换效率,同时,它还可以提高其他光电元件的灵敏度,从而得到更广泛的应用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的另一个实施例结构示意图。
图中1、透明电极,2、P层,3、I层,4、N层,5、电极,6、绝缘层,7、背面电极。
具体实施方式
如图1是本实用新型的结构示意图,一种采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构,包括依次层叠的透明电极1、P层2、I层3、N层4和电极5,所述电极5还依次连接绝缘层6和背面电极7。
所述透明电极1与背面电极7连接,并施加电压,形成外加电场。通过增加外加电场,将光生电子-空穴对的分离范围扩大到整个太阳能硅片,同时该外加电场至少大于内建电场的场强大小。
所述透明电极1与电极5连接。
所述绝缘层6为PP、PET或者聚酰亚胺等薄膜电容常用的薄膜材料或者二氧化硅。绝缘层6起到隔离电极5和背面电极7的作用,其材料的选择应满足其可能承受的电场强度。
太阳能光伏现象需要电场来将光生电子-空穴对进行分离,而通过PN结内建电势空间分离范围太窄,本发明通过在透明电极1与背面电极7之间增加外加电场将分离范围扩大到整个太阳能硅片,同时该外加电场至少要大于内建电场的场强大小。当外加电场强度足够强,将同时产生斯塔克效应,半导体硅的斯塔克效应一方面造成能级分裂,另一方面,根据QCSE(斯塔克效应),能大幅减少光生电子-空穴对复合的几率,同时在无负载时,能够减少光能吸收,因而减少太阳能电池发热。
如图2是本实用新型的另一个实施例结构示意图,一种采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构,包括依次层叠的透明电极1、N层4、I层3、P层2和电极5,所述电极5还依次连接绝缘层6和背面电极7,所述透明电极1与背面电极7连接,并施加电压。
所述透明电极1与电极5连接。所述绝缘层6为PP、PET或者聚酰亚胺等薄膜电容常用的薄膜材料或者二氧化硅。其光电转换原理与图1所示实施例同。
这种结构能使光生载流子快速移向电池两级,从而提高太阳能电池的光电转换效率,同时,它还可以提高其他光电元件的灵敏度,从而得到更广泛的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的