[实用新型]一种恒定跨导和恒定共模输出电流的轨到轨输入级有效

专利信息
申请号: 201120249745.3 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN202143036U 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 谢芳 申请(专利权)人: 上海新进半导体制造有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王光辉
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 恒定 输出 电流 轨到轨 输入
【权利要求书】:

1.一种恒定跨导和恒定共模输出电流的轨到轨输入级,其特征在于,包括:一轨到轨输入模块,用以实现共模输出电流恒定,所述轨到轨输入模块包括NMOS输入模块及PMOS输入模块;一尾电流切换模块,用以控制所述轨到轨输入模块在不同的共模输入电压下,所述NMOS输入模块及PMOS输入模块的电流和保持恒定。

2.如权利要求1所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述NMOS模块包括一尾电流源及电流镜,所述PMOS模块包括一尾电流源及电流镜;所述NMOS模块的尾电流源镜像折叠到PMOS电流镜,使所述NMOS尾电流源和PMOS电流镜的电流相互抵消;所述PMOS模块的尾电流源镜像折叠到NMOS电流镜,使所述PMOS尾电流源和NMOS电流镜的电流相互抵消。

3.如权利要求1所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述NMOS模块包括:第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一PMOS管,第二PMOS管;所述第一NMOS管与第二NMOS管组成一差分对,所述第三NMOS管构成尾电流源,所述第一PMOS管与第二PMOS管组成电流镜;所述第一第二NMOS的栅极分别与输入电压相连,源级分别与第一第二PMOS管的漏极相连,漏极均与第三NMOS管的源级相连;所述第三NMOS管的栅极与所述电流切换模块相连,漏极接地;所述第一第二PMOS管的栅极与所述尾电流切换模块相连;当输入共模电压较高,第一NMOS管与第二NMOS管工作,第三NMOS的电流与第一第二PMOS管相抵消。

4.如权利要求1所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述PMOS模块包括:第四NMOS管,第五NMOS管,第三PMOS管,第四PMOS管及第五PMOS管;所述第三PMOS管与第四PMOS管组成一差分对,所述第五PMOS管构成尾电流源,所述第四NMOS管与第五NMOS管组成电流镜;所述第三第四PMOS的栅极分别与输入电压相连,漏级分别与第四第五NMOS管的源极相连,源极均与第五NMOS管的漏级相连;所述第四第五NMOS管的栅极与所述电流切换模块相连,漏极接地;所述第五PMOS管的栅极与所述电流切换模块相连;当输入共模电压较低,第三第四PMOS管工作,第五PMOS的电流与第四第五NMOS相抵消。

5.如权利要求1所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述尾电流切换模块包括高电压工作模块,低电压工作模块以及切换高低电压工作模块的单元,所述高电压工作模块与所述低电压工作模块在亚阈值区域内均工作。

6.如权利要求5所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述切换高低电压工作模块的单元包括第十七PMOS管、第十八PMOS管及第十五PMOS管,所述第十七PMOS管与十八PMOS管组成一差分对,栅极与输入电压相连;所述第十五PMOS管的栅极与偏置电流相连并与高电压工作模块相连,漏极与差分对第十七PMOS管与第十八PMOS管的源级相连;当输入高电压,第十七第十八PMOS管不工作,当输入低电压,第十七第十八PMOS管工作。

7.如权利要求5所述的轨到轨输入级,其特征在于,所述高电压工作模块包括第十六PMOS管、第二十六NMOS管、第十三NMOS管以及第十二PMOS管,所述第十六PMOS管与第十五PMOS管组成电流镜,第十六PMOS管的漏极与第二十六NMOS管连接,第二十六NMOS管的源级和栅极短接,漏极接地,第十三NMOS管的栅极与第二十六NMOS管相连,源级与第十二PMOS管相连,漏极接地,第十二PMOS管的源级和栅极短接,漏极与NMOS输入模块连接。

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