[实用新型]直立堆叠式发光二极管结构有效

专利信息
申请号: 201120251223.7 申请日: 2011-07-14
公开(公告)号: CN202178254U 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 许志行;卢俊宇;郭明哲 申请(专利权)人: 海华科技股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 直立 堆叠 发光二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,包括:

一基板单元,其包括至少一基板本体;

一堆叠式发光模块,其包括一第一发光单元与一导光单元,其中所述第一发光单元包括至少一设置于所述基板本体上且电性连接于所述基板本体的第一发光二极管裸晶,所述第一发光二极管裸晶包括至少一第一正极焊垫及至少一第一负极焊垫,且所述导光单元包括至少一设置于所述第一发光二极管裸晶上的导光本体;以及

一覆晶式发光模块,其包括一第二发光单元,其中所述第二发光单元包括至少一设置于所述导光本体上且电性连接于所述基板本体的第二发光二极管裸晶,且所述第二发光二极管裸晶的下表面包括至少一第二正极焊垫及至少一第二负极焊垫;

所述第一发光二极管裸晶、所述导光本体、及所述第二发光二极管裸晶依序垂直地向上堆叠。

2.如权利要求1所述的直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,所述第一发光二极管裸晶的下表面接触所述基板本体的上表面,且所述第一正极焊垫与所述第一负极焊垫皆设置于所述第一发光二极管裸晶的上表面且分别通过至少两个第一导电元件电性连接于所述基板本体,其中所述第二正极焊垫与所述第二负极焊垫同时接触所述导光本体的上表面且分别通过至少两个第二导电元件电性连接于所述基板本体。

3.如权利要求1所述的直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,所述第一发光二极管裸晶的上表面接触所述导光本体的下表面,所述第一正极焊垫与所述第一负极焊垫皆设置于所述第一发光二极管裸晶的下表面,且所述第一正极焊垫与所述第一负极焊垫分别通过至少两个第一导电元件电性连接于所述基板本体。

4.如权利要求3所述的直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,所述第二正极焊垫与所述第二负极焊垫同时接触所述导光本体的上表面且分别通过至少两个第二导电元件电性连接于所述基板本体。

5.如权利要求3所述的直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,所述导光单元包括至少两个成形在所述导光本体上的导电轨迹及至少两个设置于所述基板本体与所述导光本体之间的支撑导电体,所述导电轨迹分别通过所述支撑导电体电性连接于所述基板本体,且所述第二正极焊垫与所述第二负极焊垫分别通过至少两个第二导电元件电性连接于所述导电轨迹。

6.一种直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,包括:

一基板单元,其包括至少一基板本体;

一堆叠式发光模块,其包括一导光单元与一第一发光单元,其中所述导光单元包括至少一设置于所述基板本体上方的导光本体、至少两个成形在所述导光本体上的导电轨迹、及至少两个设置于所述基板本体与所述导光本体之间的支撑导电体,所述导电轨迹分别通过所述支撑导电体电性连接于所述基板本体,所述第一发光单元包括至少一设置于所述导光本体的下表面且电性连接于所述导电轨迹的第一发光二极管裸晶,且所述第一发光二极管裸晶包括至少一第一正极焊垫及至少一第一负极焊垫;以及

一覆晶式发光模块,其包括一第二发光单元,其中所述第二发光单元包括至少一设置于所述导光本体的上表面且电性连接于所述导电轨迹的第二发光二极管裸晶,且所述第二发光二极管裸晶的下表面包括至少一第二正极焊垫及至少一第二负极焊垫;

所述第一发光二极管裸晶、所述导光本体、及所述第二发光二极管裸晶依序垂直地向上堆叠。

7.如权利要求6所述的直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,所述导电轨迹彼此分离且成形在所述导光本体的外表面上,所述第一发光二极管裸晶通过至少两个第一导电元件分别电性连接于所述导电轨迹,且所述第二发光二极管裸晶通过至少两个第二导电元件分别电性连接于所述导电轨迹。

8.一种直立堆叠式发光二极管结构,其特征在于,包括:

一基板单元,其包括至少一基板本体;

一堆叠式发光模块,其包括一第一发光单元,其中所述第一发光单元包括至少一设置于所述基板本体上且电性连接于所述基板本体的第一发光二极管裸晶,且所述第一发光二极管裸晶包括至少一第一正极焊垫及至少一第一负极焊垫;以及

一覆晶式发光模块,其包括一第二发光单元,其中所述第二发光单元包括至少一设置于所述第一发光二极管裸晶上且电性连接于所述基板本体的第二发光二极管裸晶,且所述第二发光二极管裸晶的下表面包括至少一第二正极焊垫及至少一第二负极焊垫;

所述第一发光二极管裸晶及所述第二发光二极管裸晶依序垂直地向上堆叠。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海华科技股份有限公司,未经海华科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120251223.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top