[实用新型]光刻对准标记

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻技术领域，尤其涉及一种用于套准波长为600nm至650nm以及ASML光刻机套准工艺的光刻对准标记。

背景技术

ASML光刻机套准工艺所采用的是形成在衬底上的硅台阶光刻对准标记(PM mark)，该对准标记可以适用于除化学机械抛光(CMP)之外的所有工艺层次。在进行光刻套准时，采用中心频率为633nm的套准激光根据硅台阶的光程差来捕捉光刻对准标记，从而实现对准。

现有技术中，ASML光刻机套准工艺中的光刻对准标记的台阶深度一般为左右，如果在工艺过程中在衬底上形成了外延层，那么外延层会导致光刻对准标记的图形发生畸变。套准激光对外延畸变后的光刻对准标记的识别能力较低，而且光刻对准标记的畸变程度与外延层的厚度成正比。通过调整外延工艺可以改善畸变，但是无法彻底消除畸变，现有技术中的光刻对准标记最大能够承受厚度为14μm的外延层，当外延层厚度超过14μm时，会由于光刻对准标记的畸变导致光刻对准失败。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种光刻对准标记，使其能够承受更大厚度的外延层。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于套准波长为600nm至650nm的光刻对准标记，所述光刻对准标记的台阶深度大于等于

可选地，所述光刻对准标记的台阶深度小于

可选地，所述光刻对准标记的平面图形包括十字交叉型。

可选地，所述光刻对准标记的平面图形还包括分别位于所述十字交叉型的四个象限中的横向和纵向的条纹。

本实用新型还提供了一种用于ASML光刻机套准工艺的光刻对准标记，，所述光刻对准标记的台阶深度大于等于

可选地，所述光刻对准标记的台阶深度小于

可选地，所述光刻对准标记的平面图形包括十字交叉型。

可选地，所述光刻对准标记的平面图形还包括分别位于所述十字交叉型的四个象限中的横向和纵向的条纹。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型实施例的光刻机对准标记的台阶深度大于等于对于套准波长为600nm至650nm的光刻套准工艺，或是对于ASML光刻机套准工艺，能够承受厚度高达25μm的外延层，也即在25μm厚的外延层下，依然能够保证光刻对准标记的清晰度，能够成功套准。

附图说明

图1是本实用新型实施例的光刻对准标记的剖面结构示意图；

图2是本实用新型实施例的平面图形示意图。

具体实施方式

现有技术的硅台阶式光刻套准标记的台阶深度约为在外延工艺后会发生畸变，当外延层厚度超过14μm时，会导致光刻套准失败。

本实用新型实施例的光刻机对准标记的台阶深度大于等于对于套准波长为600nm至650nm的光刻套准工艺，或是对于ASML光刻机套准工艺，能够承受厚度高达25μm的外延层，也即在25μm厚的外延层下，依然能够保证光刻对准标记的清晰度，能够成功套准。

下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步说明，但不应以此限制本实用新型的保护范围。

图1示出了本实施例的光刻对准标记的剖面结构示意图，光刻对准标记11形成于衬底10的预设区域上，其台阶深度d大于等于优选地，光刻对准标记11的台阶深度d的范围为大于等于小于从而一方面能够承受较厚的外延层，另一方面降低工艺实现上的难度。

根据发明人实验测算，对于套准激光的波长为600nm至650nm的套准工艺，使用本实施例所提供的台阶高度d大于等于的光刻对准标记，可以承受的最大外延层厚度提高至了25μm。

本实施例的光刻对准标记可以适用于ASML光刻机的套准工艺，如ASML5500/125、250、300或更高级型号的光刻机。ASML光刻机的套准工艺使用硅台阶光刻对准标记，在光刻时通过中心频率633nm的套准激光来捕捉光刻对准标记，从而实现对准。

在实际应用中，采用本实施例提供的光刻对准标记，不需要对光刻机设备本身进行调整和改造，即可将光刻套准工艺对外延层厚度的承受程度提高至25μm，为产品工艺研发拓展了上升空间，而且并不会带来成本的增加。

需要说明的是，虽然本实施例中主要以ASML光刻机为例来进行描述，但应当理解的是，本实施例的光刻对准标记还可以适用于其他的套准激光波长为600nm至650nm的光刻机以及光刻套准工艺。