[实用新型]一种反相器

说明书

技术领域

本实用新型涉及逻辑电路领域，特别涉及一种反相器。

背景技术

本领域中通常使用的反相器如图1所示，该反相器由一NMOS晶体管11与一PMOS晶体管12组成，当输入信号为理想的高、低电平时，其仅在切换状态时才产生电流，而在稳态时则不产生任何电流，但是，实际应用中，当输入信号处于非理想状态时，如当输入信号的高电平为比理想的高电平小较多时，将导致PMOS晶体管12被稍微开启而产生漏电流，从而增加了反相器的功率消耗。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种反相器，其具有较小的漏电流，从而具有较小的功率消耗。

本实用新型的技术方案如下：一种反相器，该反相器包括输入端、输出端PMOS晶体管以及NMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的源极连接电源，所述NMOS晶体管的源极接地，所述NMOS晶体管的栅极连接到所述输入端，所述PMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的漏极均连接到所述输出端，并且，该反相器还包括升压元件，所述升压元件连接在所述输入端和所述PMOS晶体管的栅极之间。

本实用新型具有以下有益效果：在输入信号的高电平为比理想的高电平小较多时，由于升压元件的存在，能够防止PMOS晶体管被稍微开启而产生漏电流，从而能够减小反相器的功率消耗。

附图说明

图1是现有的反相器的电路结构图。

图2是本实用新型的反相器的电路结构图。

具体实施方式

本实用新型的反相器的电路结构如图2所示，其中，该反相器包括输入端20、输出端24、PMOS晶体管22和NMOS晶体管21、以及升压元件23，其中，所述PMOS晶体管22的源极连接电源，所述NMOS晶体管21的源极接地，所述NMOS晶体管21的栅极连接到所述输入端，所述PMOS晶体管22的漏极和所述NMOS晶体管21的漏极均连接到所述输出端，在输入端20和PMOS晶体管22的栅极之间连接有升压元件23，该升压元件23具有电压提升功能，当输入信号的高电平比理想的高电平小较多时，由于升压元件23的电压提升功能，使得输入到PMOS晶体管22的栅极的信号仍然维持在理想的高电平，从而防止PMOS晶体管22的稍微开启产生的漏电流，进而减小该反相器的功率消耗。