[实用新型]一种电磁屏蔽织物有效

专利信息
申请号: 201120254568.8 申请日: 2011-07-19
公开(公告)号: CN202163064U 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 沈勇;张惠芳;王黎明;白林翠;刘紫微;颜峰;杨艳 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: B32B15/14 分类号: B32B15/14;B32B15/08;B32B33/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 林君如
地址: 201620 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 屏蔽 织物
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及属于功能纺织品领域,尤其是涉及一种电磁屏蔽织物。

背景技术

近年来,随着科学技术和电子工业的高速发展,一种新的环境污染-电磁波干扰,不断引起人们的关注。电磁辐射产生的电磁干扰不仅影响到电子产品的性能实现,而且由此而引起的电磁污染会对人类和其它生物体造成严重的伤害。为防止电磁波辐射造成的干扰和泄漏,利用电磁屏蔽材料进行电磁屏蔽是目前采用的主要方法。

电磁屏蔽织物就是利用具有导电性能的织物对电磁辐射进行反射、吸收和引导。目前市场上出现的主要有混编织物、金属纤维混纺织物、真空镀金属织物、金属涂层织物、硫化铜织物以及化学镀金属织物等,其导电性能高,屏蔽效能好,但都不是很理想,因为其存在金属纤维或金属镀层易氧化,易腐蚀,耐磨性低的问题,且它们的屏蔽作用主要来自于反射损耗,其高反射性能虽然达到了较好的屏蔽效果,但反射回来的高能量又会对环境造成二次污染。近年,一种新型的本征型导电涂层织物因其较好的吸收电磁波的性能得到人们的关注,且该种导电织物具有质轻、环境稳定性好、导电率可调、透气性好、涂层不易脱落和龟裂等优点,弥补了金属类屏蔽织物的缺陷。只是该种导电高分子聚合涂层织物的导电性能很难提高,要远远低于金属导电织物。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种防辐射性能更好、牢度更高、耐腐蚀性更强的电磁屏蔽织物。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:

一种电磁屏蔽织物,其特征在于,该电磁屏蔽织物由基底层、金属镀层及导电高分子聚合物层构成,所述的金属镀层镀设在基底层的两侧,所述的导电高分子聚合物层涂设在金属镀层的外侧。

所述的基底层的织物包括棉、麻、丝、涤纶、锦纶、晴纶或其混纺织物。

所述的基底层的织物结构为梭织、针织、经编织物或无纺布。

所述的金属镀层为铜镀层、镍镀层、银镀层或复合金属镀层。

所述的金属镀层可以通过金属喷溅、化学镀、电镀方法获得。

所述的导电高分子层是聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩。

所述的导电高分子聚合物层可以通过涂层法、电化学法和原位氧化聚合法获得。

与现有技术相比,本实用新型的基底层可以是涤纶、腈纶、锦纶、棉及其混纺织物等,中间金属层可以是铜、银、镍层,外层导电高分子层可以是聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩等。这种具有五层结构的导电防辐射织物可以综合、集中利用金属镀层和本征型导电高分子涂层的各自屏蔽性能,提供防辐射性能更好、牢度更高、耐腐蚀性更强的产品。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中1为基底层、2为金属镀层、3为导电高分子聚合物层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

实施例1

一种新型电磁屏蔽织物,其结构如图1所示,包括基底层1、两面的金属镀层2及表面的导电高分子聚合物层3。其中基底层1为涤纶织物,其织物类型为涤塔夫210T,金属镀层2为铜镀层,导电高分子聚合物层3为聚吡咯层。

实施例2

一种新型电磁屏蔽织物,包括基材、两面的金属涂层及表面的导电高分子层。所述基材为涤纶织物,其织物类型为涤塔夫290T,所述金属层为银镀层,所述导电高分子层为聚苯胺层。

实施例3

一种电磁屏蔽织物,该电磁屏蔽织物由基底层、金属镀层及导电高分子聚合物层构成,金属镀层镀设在基底层的两侧,导电高分子聚合物层涂设在金属镀层的外侧。其中,基底层的织物为涤纶的无纺布,金属镀层采用铜镀层,通过金属喷溅获得,导电高分子层是聚吡咯层,通过电化学法获得。

实施例4

一种电磁屏蔽织物,该电磁屏蔽织物由基底层、金属镀层及导电高分子聚合物层构成,金属镀层镀设在基底层的两侧,导电高分子聚合物层涂设在金属镀层的外侧。其中,基底层的织物为晴纶的针织物,金属镀层采用镍镀层,通过化学镀方法获得,导电高分子层是聚苯胺层,通过原位氧化聚合法获得。

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