[实用新型]一种用于三相桥式驱动的智能功率模块

权利要求书

1.一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，包括栅极驱动芯片、一组高压侧功率器件、一组低压侧功率器件和一组续流二极管，其特征在于所述的栅极驱动芯片主要由采用高压隔离制造工艺生产的高压侧控制驱动芯片和采用CMOS工艺生产的低压侧控制驱动芯片组成，所述的高压侧控制驱动芯片主要由多路输入输出的高压侧驱动模块和多路输入输出且用于将所述的高压侧驱动模块中的低电平信号转换为高电平信号的电平转移模块集成，所述的低压侧控制驱动芯片主要由多路输入输出的低压侧驱动模块集成，所述的高压侧驱动模块的各路信号输入端接入高压侧逻辑控制信号，所述的高压侧驱动模块的各路信号输出端与各个所述的高压侧功率器件的信号控制端一一对应连接，所述的低压侧驱动模块的各路信号输入端接入低压侧逻辑控制信号，所述的低压侧驱动模块的各路信号输出端与各个所述的低压侧功率器件的信号控制端一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，其特征在于所述的高压侧控制驱动芯片设置有一组高压侧逻辑控制信号输入引脚和一组高压侧驱动信号输出引脚，各个所述的高压侧逻辑控制信号输入引脚用于接入高压侧逻辑控制信号，各个所述的高压侧逻辑控制信号输入引脚与所述的高压侧驱动模块的各路信号输入端一一对应连接，各个所述的高压侧驱动信号输出引脚的一端与所述的高压侧驱动模块的各路信号输出端一一对应连接，各个所述的高压侧驱动信号输出引脚的另一端与各个所述的高压侧功率器件的信号控制端一一对应连接，所述的低压侧控制驱动芯片设置有一组低压侧逻辑控制信号输入引脚、一组低压侧驱动信号输出引脚、一组检测信号输入引脚和一组保护信号输出引脚，各个所述的低压侧逻辑控制信号输入引脚用于接入低压侧逻辑控制信号，各个所述的低压侧逻辑控制信号输入引脚与所述的低压侧驱动模块的各路信号输入端一一对应连接，各个所述的低压侧驱动信号输出引脚的一端与所述的低压侧驱动模块的各路信号输出端一一对应连接，各个所述的低压侧驱动信号输出引脚的另一端与各个所述的低压侧功率器件的信号控制端一一对应连接，各个所述的检测信号输入引脚用于接入各种检测信号，各个所述的检测信号输入引脚的一端与所述的低压侧驱动模块的各个检测信号输入端一一对应连接，各个所述的保护信号输出引脚的一端与所述的低压侧驱动模块的各个保护信号输出端一一对应连接。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，其特征在于所述的电平转移模块包括至少一个耐高压的LDMOS管，所述的LDMOS管的栅极为所述的电平转移模块的信号输入端，所述的LDMOS管的漏极为所述的电平转移模块的信号输出端，所述的LDMOS管的源极接电源地，所述的LDMOS管的栅极与漏极之间承受的高压范围为400～1200V，所述的LDMOS管的源极与漏极之间承受的高压范围为400～1200V。

4.根据权利要求3所述的一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，其特征在于所述的高压侧功率器件和所述的低压侧功率器件的个数均为三个，所述的高压侧功率器件的电流输入端和电流输出端之间连接有所述的续流二极管，所述的低压侧功率器件的电流输入端和电流输出端之间连接有所述的续流二极管。

5.根据权利要求4所述的一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，其特征在于所述的高压侧驱动信号输出引脚与零电平之间承受的高压范围为400～1200V。

6.根据权利要求5所述的一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，其特征在于所述的高压侧功率器件和所述的低压侧功率器件均为绝缘栅双极型晶体管，对于高压侧功率器件，其栅极为信号控制端，其集电极为电流输入端，其发射极为电流输出端；对于低压侧功率器件，其栅极为信号控制端，其集电极为电流输出端，其发射极为电流输入端；

或所述的高压侧功率器件和所述的低压侧功率器件均为金属氧化物半导体场效应晶体管，对于高压侧功率器件，其栅极为信号控制端，其漏极为电流输入端，其源极为电流输出端；对于低压侧功率器件，其栅极为信号控制端，其漏极为电流输出端，其源极为电流输入端；

或所述的高压侧功率器件和所述的低压侧功率器件均为晶闸管，对于高压侧功率器件，其门极为信号控制端，其阳极为电流输入端，其阴极为电流输出端；对于低压侧功率器件，其门极为信号控制端，其阳极为电流输出端，其阴极为电流输入端。