[实用新型]基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡有效

专利信息
申请号: 201120256459.X 申请日: 2011-07-20
公开(公告)号: CN202189389U 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 龚家杰;徐钦鸿;段宏阳 申请(专利权)人: 上海浦江智能卡系统有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201809 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 金凸点 封装 超薄 接触 ic
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及物理领域及智能卡制造技术,尤其涉及一种基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡。

背景技术

众所周知,在通常的芯片封装中包含芯片粘贴和引线键合等工序,此类工艺芯片体积较大,IC封装后卡片厚度过厚而无法处理,同时随着芯片尺寸的减小和I/O端数的增加,电极尺寸和电极间距变得更小,这会使芯片封装引线键合变得更加困难,也会使引线间的电磁干扰变得更大,影响芯片封装的电性能。为了使芯片封装获得更好的电性能并能增加I/O端数,迫切需要寻求一种新的封装形式来满足超薄高性能器件的封装。

于是倒装芯片封装应运而生,这种封装将芯片的粘贴和连接合二为一。连接是通过芯片上呈阵列分布的凸点与基板上的电极对准键合实现的。与常规的引线键合相比,通过凸点结构,使得互连长度更短,互连的电阻和电感更小,器件的电性能得到了明显提高和改善,更重要的是倒装芯片的凸点可呈周边式和面阵式分布,因而提高了封装的密度,减小了封装的体积。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡,该IC卡使用金凸点生长技术对芯片进行高密度封装,缩小了封装的体积,金凸点生长技术是一种可靠性高成本低的凸点制作技术,芯片凸点制作中一个关键的工序是铝电极再金属化,多数铝电极的再金属化使用薄膜工艺、光刻工艺和腐蚀工艺等,会增加制造成本,而在铝电极上采用化学镀金制作凸点,不仅不需要使用上述工序中昂贵的设备,而且还可以很容易实现量化生产,因此化学镀金技术制作凸点应用前景广阔。

本实用新型这种基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡由一个中间INLAY层和至少两个厚度不大于0.1mm的透明PET/PVC塑料层构成。

所述的中间INLAY层内设置采用金凸点生长技术封装的电子标签,所述的透明塑料层的长度与所述的中间INLAY层的长度相等,所述的透明塑料层的宽度与所述的中间INLAY层的宽度相等,所述的透明塑料层的平面形状与所述的中间INLAY层的平面形状相同。

其中,中间INLAY层为采用金凸点生长技术封装的各种相应型号的电子标签及多层PET/PVC塑料层,电子标签依据电磁感应定律,通过空间高频交变磁场实现耦合,在耦合通道内,根据时序关系,实现能量的传递、数据的交换。

进一步的,各有一个所述的透明塑料层固定设置在所属的中间INLAY层的两侧表面上,所述的透明塑料层和中间INLAY层的两侧表面之间设置有印刷油墨层,所述的印刷油墨层固定附着在所述的透明塑料层的内侧表面中。

进一步的,所述的透明塑料层与中间INLAY层通过热压结构连接,采用相应的工艺参数达到防止脱落的效果,层间剥离强度大于3.5N/cm。

具体的,所述的金凸点封装是将晶片冲洗后放入10%的盐酸溶液中,浸泡100秒后冲洗,然后立即放人配制好的镀金液中,该镀金液为无氰的,主要有亚硫酸盐和硫代硫酸盐,还原剂为肼,含有少量的稳定剂,操作温度为60℃,30分钟可获得0.2μm的金层。

具体的,所述的印刷油墨层中形成有图案,所述的图案与正常的图案成镜像对称。

具体的,所述的透明塑料层由PET/PVC材料构成,厚度不大于0.1mm,中间INLAY层由多层PET/PVC材料及电子标签层构成,最终卡体厚度不大于0.50mm。

本实用新型的有益效果是:成功地提供了一种基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡,与已有技术相对照,其效果是积极和明显的,通过金凸点封装技术,增加了卡体本身电性能,降低了成本,使卡体厚度标准达到小于0.50mm,同时将形成图案的印刷油墨层设置在卡片上、下侧透明层的与中间INLAY层之间,可以防止图案磨损,同时不会增加卡片厚度,从卡的外侧透过透明层就可看到正常图案,延长了IC卡的使用寿命。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡的一个优选实施例的侧面结构示意图。

图2是本实用新型的基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡的一个优选实施例的分解结构示意图。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型的基于金凸点封装的超薄非接触式IC卡由一个中间INLAY层1和至少两个厚度不大于0.1mm的透明PET/PVC塑料层2构成。

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