[实用新型]一种硅片磨削砂轮的对刀装置有效

专利信息
申请号: 201120261326.1 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN202185831U 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 沈彪;李向清;胡德良 申请(专利权)人: 江阴市爱多光伏科技有限公司
主分类号: B24B53/06 分类号: B24B53/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214423 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 磨削 砂轮 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉太阳能硅片的加工设备,具体涉及一种硅片磨削砂轮的对刀装置。

背景技术

在现有技术中,太阳能硅片在磨削过程中磨削用砂轮在磨削太阳能硅片时会不断消耗掉;吸附太阳能硅片的吸盘被修整等原因,会造成砂轮进给的空行程变得越来越大,由于砂轮主轴的进给速度非常缓慢,又由于砂轮进给的空行程变得越来越大,故磨削时在砂轮主轴的整个行程越来越长,其导致太阳能硅片的磨削效率越来越低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供了一种改进的阳能硅片磨削砂轮对刀装置,其能完成阳能硅片磨削前砂轮的对刀,缩短磨削时砂轮主轴的空行程,使得阳能硅片的磨削效率得到提高。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种硅片磨削砂轮的对刀装置,所述装置包括砂轮主轴、砂轮主轴进给装置、砂轮、吸盘,其特征在于,在所述砂轮的一侧距所述吸盘的上表面的空间有一高度确定的位置装有激光传感器,所述激光传感器的输出信号与控制电路的信号输入端连接,所述控制电路的信号输出端与砂轮驱动电机连接,所述激光传感器通过连接件与装于侧部的驱动装置连接。

作为优选的技术方案,所述的连接件具体为弹簧、转轴,所述驱动装置具体为摆动气缸,所述弹簧的一端与所述激光传感器连接,所述弹簧的另一端与所述转轴的顶部连接,所述转轴底部与所述摆动气缸连接。

本实用新型的优点和有益效果在于:上述结构中,由于所述砂轮的下表面和所述吸盘的上表面的空间内装有一个高度设定好的激光传感器所述激光传感器的输出信号与控制电路的信号输入端连接,所述控制电路的信号输出端与砂轮驱动电机连接,所述激光传感器通过连接件与装于侧部的驱动装置连接,所述砂轮未磨削工作时,激光传感器通过所述驱动装置带动,运动至设定高度即所述砂轮的下表面到所述吸盘的上表面(或所述砂轮的下表面)的距离为H时,此时所述激光传感器被遮挡发出信号给控制电路,此时控制电路输出控制信号使砂轮主轴停止运动。所述驱动装置带动所述激光传感器运动至外部空间,此时所述砂轮下表面与所述吸盘的上表面的距离即为设定的高度H,由于所述激光传感器检测到的高度是定值,进而其砂轮向下的磨削进给量即为所述激光传感器测定的高度与被磨削的太阳能硅片厚度值的差值,此时其对刀功能己经完成,奇缩短了磨削时砂轮主轴的空行程,使得太阳能硅片的磨削效率得到提高。

附图说明

图1是本实用新型硅片磨削砂轮的对刀装置的结构示意图。

图中:1、砂轮主轴;2、砂轮主轴进给装置;3、砂轮;4、吸盘;5、激光传感器;6、设定高度H;7、弹簧;8、转轴;9、摆动气缸;10、吸盘的固定结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示,本实用新型是一种硅片磨削砂轮的对刀装置,该装置包括砂轮主轴1、砂轮主轴进给装置2、砂轮3、吸盘4,砂轮3套装于砂轮主轴1上,吸盘4位于砂轮3下方,在砂轮3的下表面和吸盘4的上表面的空间有设定高度为H的一侧装有激光传感器5,所述激光传感器5的输出信号与控制电路的信号输入端连接,所述控制电路的信号输出端与砂轮驱动电机连接,所述激光传感器通过连接件与装于侧部的驱动装置连接;所述的连接件具体为弹簧7、转轴8,所述驱动装置具体为摆动气缸9,所述弹簧7的一端与所述激光传感器5连接,所述弹簧7的另一端与所述转轴8的顶部连接,所述转轴8底部与所述摆动气缸9连接,激光传感器5通过装于侧部的弹簧7连接转轴8的顶部,转轴8的底部连接摆动气缸9,图中10为吸盘的固定结构,图中6设定高度H。

其工作原理如下:摆动气缸9动作,使激光传感器5可照射到砂轮3的下表面,砂轮主轴1转动带动砂轮3向下运动,砂轮3遮挡住激光传感器5的光线,激光传感器5通过弹簧7连接转轴8,弹簧7具有足够的伸缩性,故激光传感器5能在砂轮3遮挡住其光线后,使控制电路发出控制信号控制砂轮及主轴1停止运动,此时砂轮3的下表面和吸盘4的上表面的距离即为H,其完成对刀后,摆动气缸9动作,使激光传感器5脱离砂轮3的下表面和吸盘4的上表面所形成的立体空间内。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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