[实用新型]一种硅片架

说明书

技术领域

本实用新型涉硅片加工设施，具体涉及一种硅片架。

背景技术

在现有的硅片生产中，硅片通常是水平地放置在退火炉中进行退火，并且硅片由两个点支撑在硅片架上。这样，由于一片硅片位于退火炉的不同高度上，而退火炉在不同的高度上有着不同的温度，因此硅片的水平放置使一片硅片位于退火炉的不同温度区域，导致硅片的退火不均匀。另外，由两点支撑硅片，会使硅片在支撑点出现位置偏移，简称为“位错”严重影响了硅片的生产质量，增加了硅片的生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，设计一种解决现有硅片生产过程中退火不均匀和硅片的支撑点产生“位错”问题的硅片支架。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是设计一种硅片架，其特征在于，所述的硅片架为环形结构，在所述硅片架上端外侧有架头，在所述架头的上端设有凸台，在所述环形架的下端设有与所述凸台相对应的凹槽，在所述环形架的上端与下端之间的环形架内侧设有一斜坡。

其中，所述架头的高度大于等于凹槽的深度。

其中，所述架头的周向宽度小于凹槽的周向宽度。

其中，所述斜坡为向硅片架内侧倾斜25-85°角。

其中，所述环形架的外形为圆形。

其中，所述环形架的外形为矩形。

其中，所述硅片架由石英或石墨的材料制成。

其中，在所述环硅片架的侧壁上设有网孔。

本实用新型的优点和有益效果在于：该硅片架与现有的硅片架相比，本实用新型的硅片架与硅片是圆周接触，因此避免了现有硅片架与硅片的点接触所引起的硅片位错的缺陷，保证了硅片的生产质量，提高了硅片的成品率，降低了硅片的生产成本。

附图说明

图1为本实用新型硅片架的正向剖面示意图；

图2为本实用新型硅片架的一种外形的俯视图；

图3为本实用新型硅片架的另一种外形的俯视图；

图4为硅片与硅片架组装后的正向剖面示意图。

图中：1、为斜坡；2、架头；3、凸台；4、凹槽；5、硅片；6、网孔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示，本实用新型的硅片架是一个环形结构架，在环形架的外形如图2所示的圆形或为如图3所示的矩形，硅片架由石英或石墨的材料制成。在环形架的上端外侧设有一架头2，在所述架头上设有凸台3，在环形架的下端设有与所述凸台3相对应的凹槽4，架头2的高度大于等于凹槽4的深度，架头2的周向宽度小于凹槽4的周向宽度。在环形架上端和下端之间的环形架内侧设有一向硅片架内侧倾斜25～85°角的斜坡1，在所述环硅片架的侧壁上设有网孔6。

在使用时，如图4所示，将硅片5水平放置在硅片架的斜坡1上，每个硅片架只放置一个硅片5，然后将一个硅片架的架头2对齐放置在另一个硅片架的凹槽4内，这样，硅片架就如图4所示，摞在一起，然后将摞在一起的硅片架放置在退火炉中即可完成硅片的垂直退火。图4只示意性地将三个硅片架摞在一起，在实践中，可以将任意多个硅片架摞在一起。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。