[实用新型]一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路

权利要求书

1.一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路，包括DC/AC输出电路（C），其特征在于：所述DC/AC输出电路（C）前端设置以PIC16F690芯片为中心的高频控制信号输出电路（A）和以IR2104芯片为中心的放大电路（B）；在所述高频控制信号输出电路（A）中，PIC16F690芯片的引脚1连接辅助电源，引脚2连接晶振（XT）后再连接引脚3，引脚4及引脚10～19分别连接电阻（R1及R4～R13）后接地，引脚20接地，引脚8连接NPN晶体三极管（Q0）的基极，该NPN晶体三极管（Q0）的发射极连接电阻（R0）后接地，该NPN晶体三极管（Q0）的集电极连接PIC16F690芯片的引脚7，且该NPN晶体三极管（Q0）的集电极还连接电阻（R2）后连接辅助电源，该PIC16F690芯片的引脚5向所述放大电路（B）输出高频控制信号；在所述放大电路（B）中，IR2104芯片的引脚2连接所述PIC16F690芯片的引脚5，高频控制信号经IR2104芯片放大之后，由IR2104芯片的引脚7和引脚5向DC/AC输出电路（C）输出驱动信号。

2.根据权利要求1所述的一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路，其特征在于：所述DC/AC输出电路（C）包括第一MOS管（Q2）和第二MOS管（Q3）；第一MOS管（Q2）的栅极连接电阻（R01）后与所述IR2104芯片的引脚7连接，第一MOS管（Q2）的漏极接入直流电源，第一MOS管（Q2）的漏极还连接第一电容（C5）后接地，第一MOS管（Q2）的源极同时连接IR2104芯片的引脚6、第二MOS管（Q3）的漏极及第二电容（C4），该第二电容（C4）连接电感（L1）后输出高频电压；第二MOS管（Q3）的栅极连接电阻（R03）后与所述IR2104芯片的引脚5连接，第二MOS管（Q3）的源极连接电阻（R04）后接地。

3.根据权利要求2所述的一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路，其特征在于：所述第一MOS管（Q2）的源极连接第三电容（C3）后再同时连接电阻（R02）和稳压二极管（D2）的负极，该电阻（R02）的另一端同时连接第四电容（C2）和IR2104芯片的引脚1，该稳压二极管（D2）的正极接地，该第四电容（C2）的另一端也接地。

4.根据权利要求1所述的一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路，其特征在于：所述IR2104芯片的引脚1还连接二极管（D1）的正极，二极管（D1）的负极同时连接IR2104芯片的引脚8和第五电容（C1），第五电容（C1）的另一端连接IR2104芯片的引脚6。

5.根据权利要求1所述的一种金卤灯用高频电子镇流器的声共振抑制电路，其特征在于：所述PIC16F690芯片的引脚6和引脚9连接保护电路。