[实用新型]一种太阳能硅片边缘的不对称倒角

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能硅片加工中的中间产品，具体涉及一种太阳能硅片边缘的不对称倒角。

背景技术

在磨削加工领域，将工件边缘棱角去除的工艺称作倒角，经过倒角的工件边缘形状也称为倒角。从倒角剖面看，倒角形状有圆弧状、斜线状等。对于薄片状工件，当边缘两侧均有倒角，并且倒角形状相同时，构成一种对称倒角，边缘两侧的倒角相对于位于薄片状工件一半厚度处且平行于薄片状工件表面的平面对称。

将经滚圆加工的硅单晶棒切割成太阳能硅片，太阳能硅片边缘表面比较粗糙，存在棱角、毛刺、崩边等缺陷，甚至还会出现裂缝以及其他缺陷，导致单太阳能硅片边缘机械强度降低，还有颗粒沾污。这就需要将太阳能硅片边缘倒角以消除所述缺陷。见图1所示，倒角就是磨削太阳能硅片1边缘，获得弧形倒角2，或者梯形倒角3，见图2所示，在太阳能硅片加工领域分别称为R型倒角、T型倒角，都属于对称倒角，是单太阳能硅片普遍采用的两种类型倒角。倒角的顶点到倒角末端的垂直距离h＝T/2，T为单太阳能硅片厚度。

作为制作太阳能硅片的衬底片，要求单太阳能硅片在经过扩散后将一侧的扩散层去除，目前使用的具有R型倒角或者T型倒角的太阳能硅片在经过所述去除加工后，此时的太阳能硅片边缘两侧倒角相对于位于此时的太阳能硅片一半厚度处的太阳能硅片表面不对称，构成不对称倒角，见图3、图4所示，这种不对称倒角造成太阳能硅片边缘的内应力大，容易导致崩边、暗纹碎片，碎片率上升，成本增加。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种太阳能硅片边缘不对称倒角的技术方案，用于解决太阳能硅片在后续扩散层去除加工后出现的崩边和暗纹碎片等问题，同时可还降低碎片率，降低生产成本。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是提供了一种太阳能硅片边缘的不对称倒角，所述太阳能硅片是由硅单晶棒切割而成的中间品，呈片状，所述中间品的太阳能硅片包括去除层保留层，其特征在于，所述太阳能硅片边缘的倒角为不对称倒角，所述不对称倒角包括连接为一体的去除层边缘倒角和保留层边缘倒角，其中保留层边缘的倒角为对称倒角，去除层边缘的倒角为保留层边缘倒角的一侧边的延伸。

作为优选的技术方案是，所述去除层边缘的倒角的一端与去除层太阳能硅片的表面相交，另一端与太阳能硅片保留层边缘的倒角的一端相连，太阳能硅片保留层边缘的倒角的另一端与太阳能硅片保留层的一表面相交。

作为优选的技术方案还包括，所述太阳能硅片的厚度为535±10μm，所述太阳能硅片边缘倒角的顶点到过保留层的倒角末端的垂直距离为130±100μm范围内，所述太阳能硅片边缘的倒角的顶点到去除层边缘的倒角末端的垂直距离为500±100μm范围内，所述太阳能硅片边缘的倒角的延长线与太阳能硅片表面间的夹角为30±2°范围内。

本实用新型的优点和有益效果在于：该边缘具有不对称倒角的太阳能硅片在经过扩散工艺后，需要去除的一侧扩散层就是去除层4，去除该去除层4后的太阳能硅片只有保留层5，这时的太阳能硅片边缘倒角就只有保留层倒角7，而保留层倒角7相对于位于保留层5一半厚度处且平行于太阳能硅片表面的平面对称，所以保留层倒角7是一种对称倒角，见图6所示，因而因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。在实际生产加工过程中，由于边缘应力造成的碎片率降低至0.3％，在后续的芯片制造过程中碎片率降低至0.75％。

附图说明

图1是现有技术中太阳能硅片边缘倒角中的R型对称倒角示意图；

图2是现有技术中太阳能硅片边缘倒角中的T型对称倒角示意图；

图3是现有技术中太阳能硅片去除一侧扩散层的后边缘R型对称倒角变为不对称倒角示意图；

图4是现有技术中太阳能硅片去除一侧扩散层之后边缘T型对称倒角变为不对称倒角示意图；

图5是本实用新型太阳能硅片边缘倒角为不对称倒角示意图；

图6是本实用新型太阳能硅片去除层被去除后，边缘倒角为对称倒角示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。