[实用新型]一种硅片的承载装置有效
申请号: | 201120263169.8 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN202189765U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 沈彪;李向清;胡德良 | 申请(专利权)人: | 江阴市爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;B08B13/00;B08B3/04 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的太阳能电池器件;专门适用于制造或处理这些太阳能电池硅片或其部件的方法或设备;涉及与液体接触的清洁。具体涉及硅片生产过程中的硅片清洗工序。
背景技术
太阳能电池的生产和应用是目前世界上增长最快的产业之一。太阳能电池中硅晶电池约占70%左右,是增长最快的一个品种。硅电池的生产过程,需要在150℃温度下用NaOH,HCI,HF溶液对硅片进行清洗。清洗过程中,需要使用承载装置盛装硅晶片。目前大多数硅片承载装置构造过于复杂,本身重量过重,承载装置的结构形状不利于清洗液的顺畅流动,并且承载装置的限位杆强度不够,长期在高温(150℃)下使用,会出现变形、弯曲等不良现象,容易造成清洗液滞留在硅片上。已公开的专利《一种硅晶承载装置》(专利号200920133787.3)公开了一种硅片承载装置。该硅晶片承载装置包括相互平行的两块端板(第一端板、第二端板)、相互平行的固定于该两块端板上位于该两块端板之间并与该两块端板垂直的至少两根限位杆(第一限位杆、第二限位杆)和固定于两块端板上位于限位杆下方并与所述限位杆平行的至少一根用于支承硅晶片的支撑杆;所述限位杆内侧面(相对之一侧)均开设有用以装卡硅晶片的牙口;所述两块端板上部之两侧均开设有用于放置夹持工具以操作和紧固该硅晶片承载装置的卡勾。
该专利的硅片承载装置,由于其结构主要为端板和杆结构组成,具有结构简洁、本身重量和尺寸较小和长期使用不会变形的特点;但由于太阳能电池硅片的需求日益增长,该硅片承栽装置因容量太小,已不能满足大批量硅晶片生产的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种承载能力大、盛装硅片数量多、能充分利用硅片生产线和清洗设备能力,从而可以提高太阳能电池硅片生产效率的大容量硅片承载装置。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种硅片的承载装置,所述装置包括相互平行的两块端板、相互平行的固定于两块端板上,且位于两块端板之间,并与该两块端板垂直的至少两根限位杆,以及固定于两块端板上位于所述限位杆下方与所述限位杆平行的至少一根用于支承硅片的支撑杆,所述限位杆内侧面均开设有用以装卡硅片的牙口;所述两块端板上部之两侧均开设有夹卡本装置的卡勾,其特征在于,所述限位杆和支撑杆均有两层,外层为保护层、内层为承重层,在所述牙口表面喷涂有塑料润滑薄膜层。
其中优选的技术方案是,在所述两块端板的下端均开设有同心孔。
进一步优选的技术方案是,所述两块端板是第一端板和第二端板,在第一端板同心孔周边均布有3个小孔。
优选的技术方案是,所述装卡硅片的牙口采用椭圆设计,平滑过渡,相应两个牙口的距离等于所承载硅片的标称宽度+0.5mm。
优选的技术方案是,所述至少两根限位杆是第一限位杆、第二限位杆,在第一限位杆、第二限位杆与支撑杆之间设有与所述第一限位杆和第二限位杆平行的且分别位于第一限位杆、第二限位杆下方的第三限位杆和第四限位杆。
本实用新型的优点和有益效果在于:该硅片的承载装置承载数量是现有技术承载装置的2倍,可达100片的大容量,而且结构简沽,利于清洗液流动,能充分利用硅片生产线和清洗设备能力,是一种承载能力大、盛装硅片数量多的大容量硅片承载装置,可以提高太阳能电池硅片的生产效率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是图1的A部局部放大图。
图中:1、第一端板;2、第二端板;3、第一限位杆;4、第二限位杆;5、支撑杆;6、牙口;7、卡勾;8、同心孔;9、第三限位杆;10、第四限位杆;101、承重层;102、保护层;103、润滑薄膜层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造