[实用新型]多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统有效
申请号: | 201120264949.4 | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN202156934U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 朱学峰;崔学状;李印峰 | 申请(专利权)人: | 洛阳万年硅业有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107;C01B33/03 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 陈大通 |
地址: | 471900 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 生产过程 产品 处理 系统 | ||
一、技术领域:
本实用新型涉及一种产品粗馏处理设备,特别是涉及一种多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统。
二、背景技术:
目前,制备多晶硅产品所用的原料之一为三氯氢硅(SiHCl3),三氯氢硅是通过硅粉(Si粉)和四氯化硅(SiCl4)之间进行氢化反应所制备而成。通过氢化反应制备的三氯氢硅中含有一定量的未反应硅粉和四氯化硅,为了使其三氯氢硅达到制备多晶硅所需纯度的要求,需要对其进行蒸馏分离提纯。目前,对其三氯氢硅产品的提纯是采用两个串联的粗馏塔进行蒸馏提纯,但是在提纯过程中,由于三氯氢硅产品中含有一定量的硅粉粉尘杂质,导致硅粉粉尘杂质在粗馏塔底部沉积,长期的粉尘沉积,造成粗馏塔蒸馏效果明显降低,甚至需要定期清理粗馏塔底部沉积的粉尘。由此,不仅增强了操作人员的劳动强度,而且降低了产品的整个操作工序。另外,如果采用目前两个串联粗馏塔对其三氯氢硅产品进行提纯,最后从粗馏塔下部排出的高沸点物料(高沸点物料的主要成分为四氯化硅)中含有一定量的粉尘杂质,无法直接作为氢化反应的原料重新利用,造成能源浪费,并且还会造成对环境的污染。
三、本实用新型内容:
本实用新型为了克服现有三氯化硅产品粗馏系统中存在的缺陷,提供一种能够有效解决硅粉沉积粗馏塔底部的多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统。通过本实用新型粗馏处理系统,不仅能够有效解决硅粉等颗粒粉尘在粗馏塔底部沉积的问题,同时能够有效分离出最终粗馏塔分离后产生的高沸点物质中的粉尘杂质,使其分离后的高沸点物料重新利用。
为了解决上述问题,本实用新型采用的技术方案是:
本实用新型提供一种多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统,所述粗馏处理系统包括两个过滤器和两个粗馏塔,两个粗馏塔之间串联连接,在第一个粗馏塔前设有一过滤器,第二个粗馏塔下部物料排出口处设有一过滤器。
根据上述的多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统,所述粗馏塔为筛板式粗馏塔。
根据上述的多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统,所述过滤器为篮式过滤器、板框过滤器或袋式过滤器。
根据上述的多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统,所述过滤器的滤网规格为180目或200目。
本实用新型的积极有益效果:
1、本实用新型在原有两个串联的粗馏塔前面设有一过滤器,通过设有的过滤器可以有效分离出三氯氢硅产品中携带的硅粉等粉尘物质,从而有效地解决了硅粉等粉尘物质在粗馏塔底部沉积的问题。粗馏塔底部颗粒粉尘沉积问题的有效解决,能够有效延长粗馏塔的使用寿命,大大降低操作人员的劳动强度,提高整个生产工序的效率。
2、本实用新型在原有两个串联的粗馏塔后面设有一过滤器,该过滤器是为了处理从第二个粗馏塔下部排放出的高沸点物料中的粉尘杂质,从第二个粗馏塔下部排出的高沸点物料中主要成分为四氯化硅,将排出的高沸点物料通过设有的过滤器进行过滤分离,可有效分离出物料中的硅粉等粉尘杂质,提高四氯化硅的纯度,经过过滤器过滤分离后的高沸点物料可返回氢化反应工序制备三氯氢硅产品,使其物料得到重新利用,避免浪费能源,也不会造成环境污染。因而,本实用新型具有显著的经济效益和社会效益。
四、附图说明:
图1本实用新型多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统结构示意图
五、具体实施方式:
以下结合实施例,进一步阐述本实用新型。
实施例1:
参见附图1,图1中:1为第一过滤器,2为第一粗馏塔,3为第二粗馏塔,4为第二过滤器。
本实用新型多晶硅生产过程中产品粗馏处理系统,所述粗馏处理系统包括两个过滤器和两个粗馏塔,第一粗馏塔2和第二粗馏塔3之间串联连接,在第一粗馏塔2前设有第一过滤器1,第二粗馏塔3下部物料排出口处设有第二过滤器4;第一粗馏塔2和第二粗馏塔3为筛板式粗馏塔;第一过滤器1和第二过滤器4采用篮式过滤器,第一过滤器1和第二过滤器4的滤网规格为180目。
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