[实用新型]多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置无效

专利信息
申请号: 201120265153.0 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN202107540U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 王达山;田原;孙志兰 申请(专利权)人: 营口晶晶光电科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 王美华
地址: 115007 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 多晶 单晶硅 废料 回用去杂 提纯 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种太阳能级硅原料处理装置技术领域,尤其是一种多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置。

背景技术

多晶硅铸锭和拉制单晶硅需要纯度较高的原料,单晶硅锭和多晶硅锭切片过程中会产生单晶碎片和多晶碎片,单晶碎片和多晶碎片经处理后可用于再次铸造成多晶硅锭或拉制单晶硅,实现废料的再次利用,有利于减少废料污染,提高硅原料利用率,节约生产成本。单晶碎片和多晶碎片与其他原料有区别,碎片上具有切片工艺中残留的胶水和粘胶条,若不完全去除将导致多晶硅锭纯度不达标等问题。针对单晶碎片和多晶碎片,第一步进行预清洗,去除灰尘等杂质;第二步进行去胶处理;第三步进行碱洗;完成单晶碎片和多晶碎片的预处理,之后再通过酸洗、漂洗、超声波溢流漂洗等工艺完成整个处理。常规的去胶处理,用水洗等方法,或用退火炉加热燃烧去除可燃性杂质。现有的退火炉去胶效果差,不能完全去除可燃杂质。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:为了解决现有技术中的不足,本实用新型提供一种多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置,能充分去除废料中的可燃性杂质,达到投炉铸锭或拉制单晶的生产要求。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置,包括炉体及密封装置、设置在炉体上的炉门及启闭压紧装置、设置在炉体内的台车及台车牵引机构、加热元件及固定装置、风冷装置和温度自动控制系统,所述的炉体内具有炉衬,炉体下方具有供台车移动的轨道;所述的炉门通过启闭压紧装置安装在炉体上;所述的台车包括车架、堆砌在车架上的护衬砌体和放置原料的料盘,车架上具有在轨道上移动的轮组和驱动轮组的台车牵引机构,护衬砌体通过台车的进入与炉体的炉衬接触密封连接,炉衬、护衬砌体和炉门组成密闭的炉腔;所述的加热元件包括加热炉丝,加热炉丝通过固定装置均匀的安装在炉衬上;所述的风冷装置包括引风机和管道,炉体上具有开孔,开孔内安装管道,管道连接引风机;所述的温度自动控制系统包括设置在炉体内的测温点和设置在炉体外部的监控设备,监控设备通过测温点采集的数据信息控制加热元件工作。

所述的炉体内的炉衬为全纤维折叠块镶装结构,炉衬的厚度为240±20mm,所述的台车的车架包括底板和包围在底板四围的侧板,所述的护衬砌体包括底板上混合平铺的硅藻土和轻质砖、在硅藻土和轻质砖上砌筑的耐火层以及侧板周围砌筑的异型砖,耐火层上具有放置加热炉丝的槽,耐火层上放置料盘。

为使炉门更方便的启闭,所述的启闭压紧装置采用电动葫芦升降炉门,炉门倾斜设置通过自身重力与炉体压紧密封连接。

为实现台车的移动,所述的台车牵引机构包括电机、减速器和输出齿轮,电机与减速器传动连接,输出齿轮安装在减速器的输出轴上,车架上的轮组中的一个为主动轮,所述的主动轮上同轴安装有从动齿轮,输出齿轮与从动齿轮传动连接。

作为优选,所述的输出齿轮与从动齿轮通过链条传动连接。

为防止台车超出行程,所述的轨道的行程两端极限处分别设有避免超行程行走的限位开关。

优选加热炉丝的固定方式,所述的加热炉丝通过瓷螺钉均匀悬挂在炉体中两侧和后侧的炉衬上。

本实用新型的有益效果是,本实用新型的多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置,节省了大量劳动力,碎片原料经高温退火处理后彻底去除粘胶条和胶水等可燃性杂质,达到多晶硅铸锭和拉制单晶硅的要求;具有冷却装置,排出炉体内的热量及已灰化的胶条和胶水,达到速冷的目的。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置的剖视图;

图2是本实用新型多晶或单晶硅废料回用去杂提纯装置的主视图的半剖图。

图中:1.炉体,11.炉衬,12.轨道,2.炉门,3.启闭压紧装置,31.电动葫芦,4.台车,41.车架,42.护衬砌体,43.料盘,44.轮组,45.电极,5.台车牵引机构,51.链条,6.风冷装置,61.引风机,62.管道。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于营口晶晶光电科技有限公司,未经营口晶晶光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120265153.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top