[实用新型]一种石英晶振有效
申请号: | 201120271058.1 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN202197255U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 杜自甫 | 申请(专利权)人: | 广东惠伦晶体科技股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 刘克宽 |
地址: | 523757 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别是涉及一种石英晶振。
背景技术
晶振Crystal,是时钟电路中最重要的部件之一。晶振主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率,晶振就如一标尺,如果晶振的工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定。因此,必须首先保证晶振的品质。
晶振通常由石英晶片和银电极构成,但是,石英晶片与银电极之间附着不牢固,容易脱落。此外,还存在产品的频率老化率低、DLD不良多的缺陷。
因此,针对现有技术不足,提供一种电极牢靠、产品老化率良好、能够改善DLD不良的石英晶振甚为必要。
发明内容
本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种石英晶振,该石英晶振的电极牢靠、产品老化率良好、能够改善DLD不良现象。
本实用新型的目的通过以下技术措施实现。
本实用新型的一种石英晶振,设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层,所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层,所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层,所述第一铬层的厚度设置为30~60埃,所述第二铬层的厚度设置为30~60埃。
优选的,上述第一铬层的厚度与所述第二铬层的厚度相等。
进一步的,上述第一铬层的厚度设置为40~55埃,所述第二铬层的厚度设置为40~55埃。
更进一步的,上第一铬层的厚度和所述第二铬层的厚度均设置为50埃。
优选的,上述第一银电极层的厚度设置为2000~7000埃,所述第二银电极层的厚度设置为2000~7000埃。
进一步的,上述第一银电极层的厚度与所述第二银电极层的厚度相等。
进一步的,上述第一银电极层的厚度设置为3000~5000埃,所述第二银电极层的厚度设置为3000~5000埃。
本实用新型的一种石英晶振,设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层,所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层,所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层,所述第一铬层的厚度设置为30~60埃,所述第二铬层的厚度设置为30~60埃。该石英晶振涂布设置有铬层,使石英晶片与银电极附着更牢固,不易脱落,且第一铬层和第二铬层厚度的设置,使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象。
附图说明
利用附图对本实用新型作进一步的说明,但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。
图1是本实用新型一种石英晶振的结构示意图。
在图1中包括:
石英晶片100、
第一铬层200、
第一银电极层300、
第二铬层400、
第二银电极层500、
第一铬层的厚度H1、
第二铬层的厚度H2、
第一银电极层的厚度D1、
第二银电极层的厚度D2。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
实施例1。
一种石英晶振,如图1所示,设有石英晶片100、以及设置于石英晶片100两面的第一银电极层300和第二银电极层500,第一银电极层300与石英晶片100对应的一面之间镀有第一铬层200,第二银电极与石英晶片100对应的另一面之间镀有第二铬层400,第一铬层200的厚度H1设置为50埃,第二铬层400的厚度H2设置为50埃。
第一银电极层300的厚度D1通常设置为2000~7000埃,第二银电极层500的厚度D2通常设置为2000~7000埃,第一银电极层300和第二银电极层500的厚度具体根据实际需要可灵活设置。
该石英晶振通过在石英晶振与第一银电极层300之间设置50埃的第一铬层200,在石英晶振与第二银电极层500之间设置50埃的第二铬层400,铬层的设置,使得石英晶片100与电极能够牢固附着,防止电极脱落。
将第一铬层200和第二铬层400的厚度H2设置为50埃,能够改善产品的产品老化率不良、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象,且使得第一银电极和第二银电极附着更牢靠。
实施例2。
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