[实用新型]促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路（IC）装备，特别是一种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，特别涉及采用PECVD法制备各种微电子和光电子领域薄膜类材料的设备。 

背景技术

 薄膜制备是集成电路(IC)芯片生产中主要工艺过程之一。等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备被广泛应用于生长钝化与多层布线等半导体工艺中，具有沉积温度低、薄膜成分与厚度易控、膜厚与沉积时间成正比、均匀性与重复性好、台阶覆盖优良、操作简便等众多优点，是IC制造工艺中制备钝化层与多层布线介质层(以Si3N4与SiO2薄膜为主)最理想的设备。 

 在PECVD工艺中需要不断往反应腔室内通入反应气体以生成所需薄膜，反应气体的均匀性是影响薄膜质量的重要因素，现有PECVD设备主要通过在腔室进气前设置匀气盘结构来提高反应气体的均匀性，现有的匀气盘结构还未完全解决反应气体的均匀性的问题。 

因此，需要对现有匀气盘结构进行改进，从而提高反应气体的均匀性，保证沉积的薄膜的质量。 

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供改进的促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，能够实现PECVD设备气流流入更均匀，从而保证沉积的薄膜的质量。 

为了解决上述技术问题，本实用新型的促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐，所述匀气罐为圆盘形开口的空腔结构，所述匀气罐上端中心位置设有进气口，匀气罐的空腔内设有上匀气盘，所述匀气罐的下端开口安装有下匀气盘，所述上匀气盘为弧形结构，其中凹弧面与进气口相对，所述下匀气盘上均匀分布有小孔，小孔按所在轴向位置不同而直径不同。 

作为上述技术方案的改进，所述上匀气盘通过两个以上、可调整匀气盘位置的螺栓连接于匀气罐。 

作为上述技术方案的改进，所述上匀气盘上均匀分布有2～5圈孔径渐变的气孔。所述下匀气盘通过螺钉连接于匀气罐的下端。所述小孔两端为相对的锥形孔，两个锥形孔顶端相连通。 

本实用新型的有益效果是：这种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构采用两级匀气方式，上匀气盘保证进气的气流初步均匀化，下匀气盘进一步均匀化气流，使得气流更均匀的分布在反应室中。上匀气盘采用弧形结构，凹弧面与进气口相对。因为对于采用中间匀气的方式时，中间的气流冲击速度和气流密度要远大于四周的气流密度，所以为了使得气流能在更大范围内保证均匀性，采用渐变孔来补偿气流的值；进气口和上匀气盘之间的距离要可以调节，当沉积不同种类薄膜的时候，气流速度的要求往往不同，为了保证薄膜的均匀性，气体出口和匀气盘之间的距离要可以调节，下匀气盘上均布小孔，该均布的小孔按所在轴向位置改变直径，使得气流流量均匀性误差进一步弱化，实现气流的均匀性分布，保证了所沉积薄膜的质量。 

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。 

图1是本实用新型的结构示意图； 

图2是图1中A处结构放大图。

具体实施方式

参照图1、图2，本实用新型的促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐1，所述匀气罐1为圆盘形开口的空腔结构，所述匀气罐1上端中心位置设有进气口6，匀气罐1的空腔内设有上匀气盘2，所述匀气罐1的下端开口安装有下匀气盘3，所述上匀气盘2为弧形结构，其中凹弧面与进气口6相对，所述下匀气盘3上均匀分布有小孔7，小孔7按所在轴向位置不同而直径不同。这种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构采用两级匀气方式，上匀气盘保证进气的气流初步均匀化，下匀气盘进一步均匀化气流，使得气流更均匀的分布在反应室中。上匀气盘采用弧形结构，凹弧面与进气口相对，下匀气盘上均布小孔，该均布的小孔按所在轴向位置改变直径，使得气流流量均匀性误差进一步弱化，实现气流的均匀性分布，保证了所沉积薄膜的质量。 

进气口和上匀气盘之间的距离要可以调节，当沉积不同种类薄膜的时候，气流速度的要求往往不同，为了保证薄膜的均匀性，气体出口和匀气盘之间的距离要可以调节，这在结构上也很好实现。在本实施例中，所述上匀气盘2通过两个以上、可调整上匀气盘2位置的螺栓4连接于匀气罐1。 

所述上匀气盘2上均匀分布有2～5圈孔径渐变的气孔8，因为对于采用中间匀气的方式时，中间的气流冲击速度和气流密度要远大于四周的气流密度，所以为了使得气流能在更大范围内保证均匀性，采用渐变孔来补偿气流的值。 

为了使气流得到进一步缓冲，所述下匀气盘3通过螺钉5连接于匀气罐1的下端，便于结构的组装。所述小孔7两端为相对的锥形孔，两个锥形孔顶端相连通。 

以上所述仅为本实用新型的优先实施方式，只要以基本相同手段实现本实用新型目的的技术方案都属于本实用新型的保护范围之内。