[实用新型]卤钨灯管用卤素填充气体的预混系统有效
申请号: | 201120278335.1 | 申请日: | 2011-08-03 |
公开(公告)号: | CN202172058U | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 肖云;邓先松;阚世文;于志辉;张国明 | 申请(专利权)人: | 天津兰普里克照明电器有限公司 |
主分类号: | H01J9/395 | 分类号: | H01J9/395 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 王顕 |
地址: | 300385 天津市西*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卤钨灯 管用 卤素 填充 气体 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及卤钨灯管制备领域,特别是涉及一种卤钨灯管用卤素填充气体的预混系统。
背景技术
复印机、打印机专用卤钨灯管采用卤钨灯循环原理制成。在上述灯管内,需要充入约1%的卤素循环气体和99%的惰性气体。虽然卤素气体甚少,却是技术的关键。其制备方法一直受到人们的广泛关注。
以往的卤素气体制备技术中是将分别与装有卤素化合物及惰性气体的容器直接与生产灯管的玻璃排气系统连接,采用手工方法,先将卤素气体充入灯管内,再将惰性气体充入。这种方法对充入灯管内的卤素气体量不易控制,而且卤素气体与惰性气体不能充分混合,这会直接影响灯管的质量控制,另外,该方法生产效率不高,仅适用于小批量生产。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种易于控制、生产效率高且能大批量生产的卤钨灯管用卤素填充气体预混系统。
为此,本实用新型的技术方案如下:
一种卤钨灯管用卤素填充气体的预混系统,包括高压支路和低压支路,所述低压支路由第1支路和第2支路连接而成,在所述第1支路的两端分别安装有第1高压阀和第4低压阀,第1~第3钢瓶分别通过第1~第3低压阀连接到第1高压阀和第4低压阀之间的第1支路上,在第2支路靠近第1高压阀的一端安装有第6低压阀,在第2支路靠近第3低压阀的一端安装有第4低压阀,在第4、6低压阀之间安装有第5低压阀,在第4、第5低压阀之间安装有压差计,一真空泵连接至第5、6低压阀之间的第2支路上,所述真空泵与第2支路之间设置有放空用的第7低压阀,在紧邻真空泵的管路上设置有一段透明的玻璃管,所述高压支路的一端通过第2高压阀连接至第1高压阀和第6低压阀之间的管路上,所述高压支路的另一端安装有气压表,第4~第6钢瓶分别通过第4~第6高压阀依次连接至第2高压阀至气压表之间的高压支路上,在靠近所述气压表一端的高压支路上设置有放空用的第3高压阀。
所述的第1~第3钢瓶均为2升钢瓶,所述的第4~第6钢瓶均为40升钢瓶。
卤素填充气体的预混是在上述预混系统中完成的,将约1%卤素气体与99%惰性气体预先混合于钢瓶内。钢瓶容器内的总压力不能超过卤素临界压力,以避免卤素气体凝结。使用时将上述钢瓶连接在灯管的生产系统上,自动将这种卤素填充气体充入灯管内。
本预混系统的优点是卤素量易于控制,卤素气体与惰性气体能充分均匀混合,灯管质量易于控制,特别适合于复印机、打印机专用卤钨灯管的大批量生产。
附图说明
1、图1是本实用新型的卤素填充气体制备装置的组成示意图。
其中:
1~6:分别为第1~第6钢瓶 7:第2支路
8:第1支路 9:高压支路 10:真空泵
11:压差计 12:气压表 13:透明玻璃管
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的卤钨灯管用卤素填充气体的预混系统及混方法进行详细说明。
如图1所示,本实用新型的预混系统包括:高压支路9和低压支路,该低压支路为环路,由第1支路8和第2支路7连接而成,在第1支路8的两端分别安装有第1高压阀A1和第4低压阀B4,第1~第3钢瓶1~3分别通过第1~第3低压阀B1~B3连接到第1高压阀A1和第4低压阀B4之间的第1支路8上,在第2支路7靠近第1高压阀A1的一端安装有第6低压阀B6,在第2支路7靠近第3低压阀B3的一端安装有第4低压阀B4,在第4、6低压阀B4、B6之间安装有第5低压阀B5,在第4、第5低压阀B4、B5之间安装有压差计11,真空泵10连接至第5、6低压阀B5、B6之间的第2支路7上,真空泵10与第2支路7之间设置有放空用的第7低压阀B7,在紧邻真空泵10的管路上设置有一段透明的玻璃管13。高压支路9的一端通过第2高压阀A2连接至第1高压阀A1和第6低压阀B6之间的管路上,高压支路9的另一端安装有气压表12,第4~第6钢瓶4~6分别通过第4~第6高压阀A4~A6依次连接至第2高压阀A2至气压表12之间的高压支路上,在靠近气压表12一端的高压支路上设置有放空用的第3高压阀A3。在本实用新型的一个实施例中,第1~第3钢瓶1~3均为2L钢瓶,第4~第6钢瓶4~6均为40L钢瓶。
下面对利用上述预混系统对卤钨灯管用卤素填充气体进行预混的方法进行详细说明。
参见图1。该方法主要包括以下步骤:
一、采用真空吸入法灌装液态卤素化合物:
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