[实用新型]一种带有真空基座的半导体光源结构有效

专利信息
申请号: 201120283827.X 申请日: 2011-08-05
公开(公告)号: CN202205808U 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 周恩兰 申请(专利权)人: 上海耶璐沙新能源技术发展有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/32
代理公司: 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 代理人: 李浩东
地址: 201700 上海市青*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 真空 基座 半导体 光源 结构
【权利要求书】:

1.一种带有真空基座的半导体光源结构,它主要包括芯片基座(2),芯片基座(2)表面覆有微型半导体芯片(1),微型半导体芯片(1)由金属丝线引出正负电极,微型半导体芯片(1)和金属丝线表面覆有封装硅胶层(3),其特征在于:所述芯片基座(2)内腔呈真空状。

2.根据权利要求书1所述的一种带有真空基座的半导体光源结构,其特征在于:所述芯片基座(2)为金属材质或导热炭材质或导热陶瓷材质。

3.根据权利要求书1所述的一种带有真空基座的半导体光源结构,其特征在于:所述芯片基座(2)为矩形或圆形或椭圆形或三角形或柱形。

4.根据权利要求书1所述的一种带有真空基座的半导体光源结构,其特征在于:所述真空腔体(4)处设有隔断层(6)。

5.根据权利要求书1所述的一种带有真空基座的半导体光源结构,其特征在于:所述芯片基座(2)表面设有散热片(7)。

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