[实用新型]一种低栅电容TGBT功率器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种低栅电容TGBT功率器件。

背景技术

现有的功率器件IGBT是一种栅极电压控制，二种载流子参入导电的器件，他具有驱动电路简单，电流能力大，易于集成等优点。IGBT的栅电极的面积占据其总面积的一半以上，为了减少IGBT的驱动功率，需要减少IGBT的栅区电容。传统的IGBT的栅电容是多晶硅和器件的表面形成的电容，中间的介质层是栅氧，栅氧化层很薄，栅电容较大。

发明内容

本实用新型目的是提供一种低栅电容TGBT功率器件。以解决现有技术所存在的栅氧化层薄，栅电容较大等技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：该低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的屏蔽口；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅层上保护层。

本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在P型区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。

附图说明

图1是本实用新型的内部结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。

图1是本实用新型的结构示意图。由图1可知，该低栅电容TGBT功率器件包括硅片2、热场氧化层6、热氧化栅氧层4、多晶硅层5和二氧化硅层1，将硅片2进行热场氧化，使其在硅片2上方成长热场氧化层6，将热场氧化层6进行光刻，并保留部分在P型区9外的表面。其中在将热场氧化层6进行光刻时，保留N+源区8的部分场氧化层作为N+源区8注入的屏蔽口，从而实现N+的自对准。

硅片2被热氧化作为栅氧化层4，淀积多晶硅层5作为栅极导电层3，淀积的二氧化硅层1作为多晶硅层5上保护层。并利用胶保护栅极上的二氧化硅层1，同时将源极7上的淀积二氧化硅层1腐蚀掉即将源极7的导电窗口打开，源极7和栅极3靠淀积的二氧化硅1氧化层隔离绝缘。热场氧化层6可以仅设置在所述栅电极3的栅区沟道区外表面，作为所述栅电极3的介质层，可以和所述栅氧化层4一起，增加所述栅电极3介质层的厚度，从而降低其电容，起到良好的保护作用。

此外，在本实用新型低栅电容TGBT功率器件中，热场氧化层6的厚度为9000—12000埃，栅氧层4的厚度为300—700埃，二氧化硅层1厚度为4000—6000埃。