[实用新型]一种带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件有效
| 申请号： | 201120284087.1 | 申请日： | 2011-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN202473821U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张研;李驰 | 申请（专利权）人： | 张研;李驰 |
| 主分类号： | H01J1/308 | 分类号： | H01J1/308 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210096 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 限流 晶体管 纳米 发射 元件 | ||
【权利要求书】：
1.带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件，其特征是包括阴极、位于阴极下方的栅极、阴极和栅极之间的绝缘层和半导体层、导电基板；其特征是在导电基板上设有绝缘层，导电基板为栅极，在绝缘层上为半导体薄膜；半导体薄膜上设有作为阴极的格状或环状金属电极；在格状或环状金属电极格状或环状孔的中心位置设有垂直于基板的单根碳纳米管；所述碳纳米管的一端与半导体层电学相连，且碳纳米管通过半导体层与阴极电学相连。
2.如权利要求1所述的带有限流晶体管的碳纳米管场发射元件，其特征在于：绝缘层的厚度在100nm至300nm之间。
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