[实用新型]非晶硅薄膜化学气相沉积系统有效
申请号: | 201120284738.7 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN202201971U | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 郭锋 | 申请(专利权)人: | 上海曙海太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/24 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 刘计成 |
地址: | 201300 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶硅 薄膜 化学 沉积 系统 | ||
1.一种非晶硅薄膜化学气相沉积系统,包括电极盒及多个配气箱,其特征在于:所述多个配气箱分别通过管道与一输气管连接,所述输送管的末端与所述电极盒的进气口连接,所述配气箱与所述输气管连接的管道上设有调压阀和气动阀。
2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统,其特征在于:所述输气管的长度大于8m。
3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统,其特征在于:所述电极盒的进气口上设有匀气板。
4.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统,其特征在于:所述多个配气箱包括H2配气箱、CH4配气箱、SiH4配气箱和TMB配气箱。
5.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统,其特征在于:所述配气箱与所述输气管连接的管道上还设有手动隔膜阀。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的