[实用新型]一种薄型大功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201120288268.1 申请日: 2011-08-10
公开(公告)号: CN202205734U 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 陈斌 申请(专利权)人: 嘉兴斯达微电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/07;H01L25/11
代理公司: 嘉兴君度知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 沈志良
地址: 314000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种薄型大功率半导体模块,包括设有注塑框的下壳体,注塑框的插槽内插有金属插针端子,在下壳体内设有绝缘金属基板和功率半导体芯片,下壳体的背面设有导热底板,其特征在于金属插针端子包括信号金属插针端子和功率金属插针端子;信号金属插针端子为针式结构,插于注塑外框的长边插槽内,功率金属插针端子为“乙”型结构,插于注塑框的短边插槽内,功率金属插针端子上设有连接孔;在下壳体内设有温度传感器。

2.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于下壳体上的长边插槽包括二条边槽,二条隔槽,隔槽设于二条边槽之间。

3.根据权利要求1或2所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于该薄型大功率半导体模块包括三个独立的半桥电路结构,这三个独立的半桥电路结构之间被隔槽隔开;短边插槽内插有十二个功率金属插针端子。

4.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于下壳体的角上设有金属卡环;所述下壳体通过密封胶、金属卡环与导热底板结合。

5.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于所述导热底板和绝缘金属基板通过钎焊结合;所述功率半导体芯片和绝缘金属基板通过钎焊结合;所述温度传感器和绝缘金属基板通过钎焊结合。

6.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于所述绝缘金属基板、功率半导体芯片、温度传感器及金属插针端子间通过铝线键合。

7.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于金属插针端子用高导电率材料制作。

8.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于短边插槽中嵌入金属螺母。

9.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于导热底板的背面,即导热底板非焊接面凸起成平面光滑的球面结构,球面的平整在0.08mm以内;导热底板采用高导热率、低膨胀系数材料做成,包括铜、铝碳化硅材料。

10.根据权利要求1所述的薄型大功率半导体模块,其特征在于该薄型大功率半导体模块也可以只有一个半桥电路结构,短边插槽内插有四个功率端子。

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