[实用新型]制绒太阳能电池硅片有效
申请号: | 201120288338.3 | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN202150462U | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 陈一鸣 | 申请(专利权)人: | 温州索乐新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其是一种制绒太阳能电池硅片。
背景技术
普通的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒,然后再进行后续的工艺,目的是降低电池表面对光的反射率,从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包括碱制绒、酸制绒,碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒,除此之外还有其他高效电池的特殊制绒方法,例如:RIE制绒,光刻制绒等,这些方法可以形成一面制绒,但成本相对较高。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种新型的制绒太阳能电池硅片。
为了实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种制绒太阳能电池硅片,包括硅片,所述的硅片是由上层的制绒层和下层的氮化硅膜复合而成。
所述的氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。
本实用新型的有益效果是:通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒效果更好,相对于RIE制绒和光刻制绒,成本更低。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,制绒太阳能电池硅片,包括硅片1,所述的硅片1是由上层的制绒层2和下层的氮化硅膜3复合而成,所述的氮化硅膜3是氮化硅膜3,所述的氮化硅膜3的厚度为5nm-200nm。
实施例1:
将硅片1放入碱制溶液中,根据硅各个晶面腐蚀的速度不同,碱制溶液对硅片的表面进行腐蚀,硅片1的上表面腐蚀出金字塔形,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面硅片。
实施例2
将硅片1放入酸制溶液中,用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表面进行腐蚀,在硅片1的上表面形成不规则的凹坑,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面硅片。
单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能测试等步骤就可以形成成品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州索乐新能源科技有限公司,未经温州索乐新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120288338.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单晶硅太阳能电池
- 下一篇:一种带有自动搅拌、循环、甩干功能的密闭煎药锅
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的