[实用新型]多晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201120288448.X | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN202150463U | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 陈一鸣 | 申请(专利权)人: | 温州索乐新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其是一种多晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术
普通的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒,然后再进行后续的工艺,制绒的目的是降低电池表面对光的反射率,从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包括碱制绒、酸制绒,碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒,除此之外还有其他高效电池的特殊制绒方法,例如:RIE制绒,光刻制绒等,这些方法可以形成一面制绒,但成本相对较高。碱制绒、酸制绒、RIE制绒,光刻制绒原理如下:
碱制绒:根据Si各个晶面腐蚀的速度不同,用碱溶液将硅片表面腐蚀出金字塔,硅片正反两面都形成金字塔,对光的发射率低;
酸制绒:用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成的溶液来腐蚀硅片表面,形成的绒面为不规则的凹坑,硅片两面同时形成这样的绒面,正面和反面的对光的反射率低;
RIE制绒:在硅片的受光面用反应离子体刻蚀,形成反射率低的绒面,这种方法可以一面制绒,但成本高,后续去损伤层难度较大;
光刻制绒:先在硅片表面生长一层厚度约为1um左右的氧化膜,再使用光刻的方法制绒,反射率低,成本高。
发明内容
本实用新型为解决技术问题提供了一种新型的多晶硅薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片,所述的硅片是由制绒层和氮化硅膜复合而成,所述的氮化硅膜是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜。
所述的氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。
本实用新型的有益效果是:使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒成为可能,相对于RIE制绒和光刻制绒,节约了成本。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片1,所述的硅片1是由制绒层2和氮化硅膜3复合而成,所述的氮化硅膜3是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜3,所述的氮化硅膜3的厚度为5nm-200nm。
实施1:
将硅片1放入碱制溶液中,根据硅各个晶面腐蚀的速度不同,碱制溶液对硅片的表面进行腐蚀,硅片1的上表面腐蚀出金字塔形,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面制绒的硅片。
实施2
将硅片1放入酸制溶液中,用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表面进行腐蚀,在硅片1的上表面形成不规则的凹坑,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面制绒的硅片。
单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能测试等步骤就可以形成成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的