[实用新型]一种新型电磁屏蔽镀膜玻璃

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种新型电磁屏蔽镀膜玻璃及其制备方法，具体的说是涉及一种高透、高性能电磁屏蔽镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术：

随着人类社会的高速发展，手机、电脑以及其它的高精尖电子仪器越来越多的运用于人们的日常生活中，在给人们的日常生活带来便利的同时，其日益增强的电磁辐射也对人类的健康造成了越来越大的伤害，尤其是对于孕妇、儿童等人群，如何对电磁辐射进行屏蔽已经成为一个亟待解决的问题。

电磁屏蔽是用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来, 使其外部电磁场强度低于允许值或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来, 使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。

电磁屏蔽效能是在电磁场中同一地点无屏蔽时强度与加屏蔽体后的电磁场强度之比，常用分贝数(dB)表示。屏蔽效能(S_E)又包括吸收损失(A)、反射损失(R)和多次反射损失(B)组成,即S_E=A+R+B.

目前使用的电磁屏蔽玻璃主要分为两种，第一种由两块玻璃中间加上金属屏蔽丝组成;第二种由两块玻璃中间加上透明导电薄膜组成。

第一种电磁屏蔽玻璃在实际运用中能获得良好的电磁屏蔽效果,电磁屏蔽效能大概在20~40dB之间。但是在玻璃中夹杂金属丝会极大程度的影响玻璃的透光率,并且透过玻璃观察事物的真实度也会受到一定的影响,使得该种电磁屏蔽玻璃的运用受到了相当的限制。

第二种电磁屏蔽玻璃采用两块玻璃加上透明导电薄膜的组成,其透明性和可视性良好，但是其电磁屏蔽效能，尤其是在高频下的电磁屏蔽效能低于第一种电磁屏蔽玻璃，不能满足高性能仪器设备的要求。目前电磁屏蔽玻璃使用的薄膜多为TiO₂，SnO₂，Ni，Cr，Ag，ZnO的薄膜，例如：专利申请号200520034827.0，具有抗反射防电磁辐射及滤光功能的安全保护屏，使用TiO₂/ZnO/Ag/NiCrO_x/ TiO₂或者TiO₂/SnO/Ag/NiCrO_x/TiO₂膜系制备电磁屏蔽玻璃。专利申请号200710079169.0，电磁屏蔽玻璃及其制备方法中采用涂敷制备含有TiO₂、NiCr、NiCrOx、Ag、SiOx、ZnO膜系的电磁屏蔽玻璃。

上述的电磁屏蔽玻璃，在当前的技术领域中，无法同时满足高透过率、良好的可视性及优良的屏蔽效能等复合要求，亟待进行新工艺或者材料体系的开发。

实用新型内容：

本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的缺点，提供一种具有高透过率、良好可视性及优良电磁屏蔽性能的玻璃。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种新型电磁屏蔽镀膜玻璃，包括基板玻璃、附于基板玻璃上的金属透明导电薄膜以及盖板玻璃，其特征在于：金属透明导电薄膜采用不同金属材料制成的多层复合薄膜结构。

在以上基本技术方案的基础上，可以有以下进一步的技术方案：

所述的多层复合薄膜结构中的任一层导电膜可以使用氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）、金、银、铜中任一种材料，采用公知的玻璃镀膜工艺分别镀制单层导电膜，最后形成多层复合薄膜结构。

基板和盖板玻璃厚度为1~12mm；基板玻璃和盖板玻璃是掺杂有金、银金属离子的特种玻璃。

基板玻璃和盖板玻璃之间采用导电胶与导电金属条进行粘合。

在本实用新型的技术方案中，电磁屏蔽镀膜玻璃中使用的基板玻璃和盖板玻璃可以包含普通浮法玻璃、超白浮法玻璃、超白压延玻璃以及普通压延玻璃中的一种或几种组合；其中在透过率要求较高的领域内使用超白玻璃基板，一般领域内使用普通玻璃基板。

金属透明导电薄膜可以采用公知的玻璃镀膜工艺制备，如：磁控溅射、蒸镀、化学气相沉积等工艺中的任意一种直接制备于基板玻璃上。

在本实用新型的技术方案中，电磁屏蔽镀膜玻璃采用多层膜复合结构，其结构包括氧化铟锡（ITO），氧化锌铝（ZAO），金，银，铜中任意几种的组合物。采用单层透明导电膜时由于薄膜的厚度有限对于电磁波的电磁屏蔽作用受到了很大的限制，采用多层薄膜后一方面可以增加膜层的厚度，增加电磁波的反射效果。同时，多层导电膜的制备可以有效降低透明导电薄膜的面电阻，提高透明导电薄膜的导电性，增强电磁屏蔽玻璃的电磁屏蔽性能。