[实用新型]一种碳纳米管场效应背光源及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种碳纳米管场效应背光源及包括所述碳纳米管场效应背光源的液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示器作为当今显示行业的主流产品，其应用十分广泛，其中背光源(Back Light，BL)作为模块中的一个重要部件，起到为液晶显示器提供光源的作用。现有技术中的背光源主要有冷阴极荧光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)式和发光二极管(Light Emitting Diode，LED)式两种，但由于其自身的设计，如图1所示，常需要在其结构中添加导光板及扩散片来将点光源或线光源分散成平面光源，从而大大增加了背光源的厚度，无法实现产品的小型化和轻薄化。而且，在一定的功耗下，其所形成的背光源存在着亮度低、光均匀性一般的问题。

为了解决上述问题，目前，业界开始利用碳纳米管场效应来制造背光源，碳纳米管又名巴基管，其具有典型的层状中空结构，如图2所示，是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口)的一维量子材料，可被应用为近场发射材料。现有的碳纳米管场效应背光源，如图3所示，主要包括：阳极基板16、荧光发光层15、阴极基板11、阴极12、碳纳米管层13以及支撑条14等。

其工作原理为：通过阴极12及碳纳米管层13发射电子来轰击阳极基板16上的荧光发光层15使其发光，由于不需在该背光源上再另外添加导光板和扩散片等部件，因此可以降低背光源的厚度。

但是，上述碳纳米管场效应背光源中，碳纳米管层13为面状平铺型设计，如图4所示，由于阴极12整个面所带的电荷均相同，而同种电荷又必然存在互相排斥的现象，最终会导致阴极12边缘地带的电荷比中间地带更为密集，即存在所谓的边缘电场效应。在该边缘电场效应的作用下，面状平铺型碳纳米管层13发射的电子密度在四周区域要高于中心区域，从而荧光发光层15存在四周区域被发射电子轰击的强度高于中心区域的现象，直接影响到荧光发光层15发射出的光线的均一性，最终导致背光源出射光在四周区域亮度高于中心区域。

实用新型内容

本实用新型提供了一种碳纳米管场效应背光源及液晶显示器，用以解决现有技术中存在的液晶显示器背光源均一性较差的问题。

本实用新型所提供的碳纳米管场效应背光源，如图5所示，包括：阳极基板26、荧光发光层25、阴极基板21、阴极22和支撑条24，还包括位于阴极22上表面的由多个相互隔开的碳纳米管凸状点阵组成的碳纳米管层23，所述碳纳米管凸状点阵的分布密度在阴极22上呈四周密度低中间密度高的分布。

本实用新型还提供了一种包括上述碳纳米管场效应背光源的液晶显示器。

本实用新型的效果为：

由于将碳纳米管场效应背光源中的碳纳米管层23由现有的面状平铺型改为了四周稀疏中间密集的碳纳米管凸状点阵结构，因此平衡了电致发光过程中存在的边缘电场效应，使荧光发光层发出的光线在宏观上达到了平衡，从而提高了背光源出射光的均一性。

附图说明

图1所示为现有技术中LED背光源结构示意图；

图2所示为碳纳米管形态结构示意图；

图3所示为现有技术中碳纳米管场效应背光源结构主视图；

图4所示为现有技术碳纳米管场效应背光源中针对阴极、碳纳米管层和荧光发光层的立体图；

图5所示为本实用新型实施例一中碳纳米管场效应背光源结构主视图；

图6所示为本实用新型实施例一的碳纳米管场效应背光源中针对阴极、碳纳米管层和荧光发光层的立体图；

图7所示为本实用新型实施例二中碳纳米管场效应背光源结构主视图；

图8所示为本实用新型实施例三中碳纳米管场效应背光源结构主视图；

图9所示为本实用新型实施例三中透明导电薄膜层增加阴极导电性工作原理示意图；

图10所示为本实用新型实施例三碳纳米管场效应背光源工作原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型实施例提供的碳纳米管场效应背光源进行详细地说明。

实施例一：

参见图5所示，本实用新型实施例一所提供的碳纳米管场效应背光源包括阴极基板21、阴极22、碳纳米管层23、阳极基板26、荧光发光层25以及支撑条24，其中：