[实用新型]喷淋装置有效

专利信息
申请号: 201120294044.1 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN202142509U 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 丁海涛 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;G03F7/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 喷淋 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体集成电路领域,特别涉及一种喷淋装置。

背景技术

目前,集成电路已经从60年代的每个芯片仅几十个器件发展到现在的每个芯片上包含约10亿个器件。集成电路之所以能飞速发展,光刻技术的发展起到了关键的作用。但是通孔中光刻胶残留物的去除,一直是一个技术难题。同时硅片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质玷污,这些杂质将导致集成电路芯片的良品率大大下降,下降约50%。所以为了获得高质量、高产率的集成电路芯片,必须将这些杂质除去。

现有技术中,针对这一问题,目前有用纯水对晶片中心长时间冲洗,这种方法对200mm涂胶显影机可以将光刻胶残留物完全冲洗掉,但对300mm涂胶显影机就不能做到,如图1所示,该种冲洗方式冲洗晶片的喷淋装置,包括相互垂直的喷淋嘴管1和水管2,所述喷淋嘴管1位于晶片3上方并垂直与晶片3,晶片3随机台旋转运动,纯水垂直喷淋在晶片3上,晶片3中心的纯水只靠重力排出,在晶片3中心会产生星型涡旋,且中心到边缘是辐射冲洗杂质,易产生十字型缺陷,且当冲洗时间不够时,晶片3上的光刻胶浮渣会残留在晶片3上,影响晶片3性能,所述晶片3效率损失约为2%-20%,现有技术的喷淋装置不足之处在于:冲洗时间长、纯水用量大且晶片上存在十字型缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种冲洗时间短,纯水用量小以及避免产生十字型缺陷的喷淋装置。

本实用新型的技术解决方案是:一种喷淋装置,用于冲洗晶片,包括喷淋嘴管和水管,其特殊之处在于,所述喷淋嘴管与水管活动连接,所述喷淋装置上设有使喷淋嘴管沿水管轴向转动的驱动机构。

作为优选:所述喷淋嘴管与水管的夹角大于90°。

作为优选:所述喷淋嘴管与水管的夹角为140°-165°。

作为优选:所述驱动机构包括固定在水管上且机轴平行于水管的电机、与电机机轴连接的第一齿轮、固定在喷淋嘴管上与第一齿轮啮合的第二齿轮。

作为优选:所述喷淋嘴管套装在水管上。

作为优选:所述电机为步进电机。

与现有技术相比,本实用新型的优点是结构简单、冲洗时间短、用水量少、提高产能以及避免晶片上产生十字型缺陷。

附图说明

图1是现有技术的结构图。

图2是本实用新型的结构图。

图3是本实用新型驱动机构的效果示意图。

具体实施方式

本实用新型下面将结合附图作进一步详述:

图1示出了现有技术的喷淋装置,所述喷淋装置包括相互垂直的喷淋嘴管1和水管2,所述喷淋嘴管1位于晶片3上方并垂直与晶片3,晶片3随机台旋转运动,纯水垂直喷淋在晶片3上,晶片3中心的纯水只靠重力排出,在晶片3中心会产生星型涡旋,且中心到边缘是辐射冲洗杂质,易产生十字型缺陷,且当冲洗时间不够时,晶片3上的光刻胶浮渣会残留在晶片3上,影响晶片3性能,所述晶片3效率损失约为2%-20%,所述喷淋装置存在冲洗时间长、纯水用量大且晶片上存在十字型缺陷。

请参阅图2所示,在本实施例中,所述喷淋装置,包括喷淋嘴管5和水管4,所述喷淋嘴管5与水管4活动连接,所述喷淋嘴管5套装在水管4上,所述喷淋装置上设有使喷淋嘴管5沿水管4轴向转动的驱动机构6,所述喷淋嘴管5具有弧度,所述喷淋嘴管5与水管4夹角大于90°,喷淋嘴管5与水管4的夹角为140°-165°,这样使得喷淋嘴管5不再垂直与晶片3,而是成15°-40°的入射角。喷淋到晶片3上的纯水不再只靠重力排出,不会产生星型涡旋,不会产生十字型缺陷。所述驱动机构6,包括固定在水管4上且机轴611平行于水管的电机61、与电机机轴611连接的第一齿轮62、固定在喷淋嘴管5与第一齿轮62啮合的第二齿轮63。喷淋嘴管5在电机61带动下通过齿轮啮合可绕水管4轴向转动,所述电机61采用步进电机,可以正转、反转,如图3所示,在本实施例中所述喷淋嘴管5正转角度为65°,反转角度为65°,且中心到边缘不再是辐射冲洗杂质,而是扫描式冲洗,晶片3上的光刻胶易冲洗掉,不会残留,冲洗效果好。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型权利要求范围所做的均等变化与修饰,皆应属本实用新型权利要求的涵盖范围。

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