[实用新型]测试晶圆有效
申请号: | 201120299961.9 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN202159650U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 韩秋华;李超伟;隋运奇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种测试晶圆。
背景技术
目前,在半导体生产车间内很多机台都需要测试晶圆,该测试晶圆是用于检测机台的性能。如蚀刻工艺中,会用到很多测试晶圆。
请参阅图1和图2,其中,图1是现有的测试晶圆的俯视示意图,图2是现有的测试晶圆的侧视示意图。由图1和图2可见,现有的测试晶圆包括一测试晶圆本体101,所述测试晶圆本体101具有正面以及与所述正面相对的背面,图1中所示的是测试晶圆的正面。
但在使用过程中发现,测试晶圆使用一段时间后,测试晶圆的背面即测试晶圆本体101的背面由于在蚀刻环境中受到氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)或其他酸性溶液的侵蚀,会出现凹凸不平状况,即测试晶圆的背面逐渐被酸性溶液侵蚀成粗糙表面。然后,一旦测试晶圆的背面变粗糙后,测试晶圆坑坑洼洼的背面,使得测试晶圆和吸盘之间不能形成有效的真空环境,致使吸盘很难通过静电吸附力吸附测试晶圆。对于不能被吸盘吸附的测试晶圆,一般采用背面维护或废弃处理,如此,造成很大的浪费。
因此,如何提供一种可以阻止酸性溶液侵蚀的测试晶圆是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种测试晶圆,通过在测试晶圆本体的背面增设一层保护层,可以有效阻止酸性溶液侵蚀测试晶圆的背面,从而,延长测试晶圆的使用寿命。
为了达到上述的目的,本实用新型采用如下技术方案:
这种测试晶圆,包括一测试晶圆本体,所述测试晶圆本体包括正面以及与所述正面相对的背面,还包括一保护层,所述保护层设置于所述测试晶圆本体的背面。
优选,在上述的测试晶圆中,所述保护层是防酸性材料层。
优选,在上述的测试晶圆中,所述防酸性材料层是聚四氟乙烯层。
优选,在上述的测试晶圆中,所述防酸性材料层是玻璃纤维增强塑料层。
优选,在上述的测试晶圆中,所述保护层的厚度是0.001~10mm。
优选,在上述的测试晶圆中,所述保护层的厚度是0.001~0.5mm。
由于本实用新型采用上述技术方案,因此具有如下有益效果:
本实用新型提供一种测试晶圆,通过在测试晶圆本体的背面增设一层保护层,使得所述保护层作为整个测试晶圆的背面,该保护层可以有效阻止酸性溶液侵蚀测试晶圆的背面,防止测试晶圆的背面出现凹凸不平的现象,从而,有效延长测试晶圆的使用寿命。
进一步的,所述保护层可以是聚四氟乙烯层、玻璃纤维增强塑料层或者其他防酸性材料层,能够有效防止酸性溶液侵蚀测试晶圆的背面,确保测试晶圆完好无损。
附图说明
本实用新型的测试晶圆由以下的实施例及附图给出。
图1是现有的测试晶圆的俯视示意图;
图2是现有的测试晶圆的侧视示意图;
图3是本实用新型一实施例的测试晶圆的俯视示意图;
图4是本实用新型一实施例的测试晶圆的侧视示意图。
具体实施方式
以下将对本实用新型的测试晶圆作进一步的详细描述。
下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本实用新型的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参阅图3至图4,其中,图3是本实用新型一实施例的测试晶圆的俯视示意图;图4是本实用新型一实施例的测试晶圆的侧视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造