[实用新型]一种高效节能的多晶硅制备装置

权利要求书

1.一种高效节能的多晶硅制备装置，包括由反应器内衬和外壳限定的中空腔体，所述内衬与包裹内衬的外壳中间填充有保温材料，所述中空腔体的顶端设有还原剂进料管、氧化剂进料管和尾气出口，所述中空腔体的底端设有主、副产物出口管；其中，所述还原剂进料管与至少一个伸入腔体内部的还原剂喷嘴连接，所述氧化剂进料管与至少一个深入腔体内部的氧化剂喷嘴连接；所述中空腔体底部设有辅助加热器；其特征在于，所述氧化剂喷嘴伸入中空腔体的位置高于还原剂喷嘴，且所述还原剂喷嘴为自动旋转喷嘴，所述氧化剂喷嘴与气体分布盘连接，使得氧化剂经气体分布盘均匀分布后与旋转喷嘴喷出的还原剂雾化射流充分接触。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的外壳为不锈钢。

3.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的反应器内衬上端为圆柱形，下端为倒圆锥形。

4.根据权利要求2或3所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的反应器内衬为石墨、SiC或Si₃N₄材料构成。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的自动旋转喷嘴主要由还原剂进料管以及套装在进料管上的轴承和轴承盖构成，所述的进料管的一端与喷头体相连，喷头体与轴承盖固为一体结构，且喷头体上设置有与进料管内部相通的喷料孔。

6.根据权利要求5所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的喷料孔至少为2个，且喷料孔绕喷头体的中轴线呈对称分布。

7.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述气体分布盘至少设有8个围绕还原剂旋转喷嘴的喷口。

8.根据权利要求6或7所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的氧化剂进料管下端分布盘的喷口绕还原剂进料管的中轴线呈对称分布。

9.根据权利要求8所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述位于反应器腔体顶端的尾气出口与还原剂进料管嵌套设置。

10.根据权利要求9所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的主产物出口管伸入中空腔体的高度稍高于反应器内衬底部，位于主产物收集区，以避免引入副产物。

11.根据权利要求10所述的多晶硅制备装置，其特征在于所述的副产物出口管伸入中空腔体的高度高于主产物出口管约2-10cm，位于副产物收集区。