[实用新型]用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构有效
申请号: | 201120303753.1 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN202183380U | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 冯志强 | 申请(专利权)人: | 浙江舒奇蒙光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 俞润体 |
地址: | 311227 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶体 太阳能电池 正面 结构 | ||
技术领域
本实用新型专利涉及一种栅线结构,尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构。
背景技术
目前现有技术中晶体硅太阳能电池的正面栅线图形中子栅线宽度较宽,造成电池片表面有效光照面积的减少,降低了太阳电池转换效率;现有正面栅线图形中主栅线所占面积较大,在一定程度上消耗了较多正面银导电浆料,提高了生产成本。
中国专利CN201020565780.1,公开是一种分段栅线晶体硅太阳能电池。一种分段栅线晶体硅太阳能电池,包括晶体硅片、表面电极、背面电极,表面电极设置在晶体硅片的光照面上,背面电极设置在晶体硅片的背光面上,表面电极包括线状栅线、主栅线,线状栅线与主栅线连接,主栅线分段设置,由至少两个片状栅线串联构成。此结构采用传统的栅线宽度,使得电池转换效率低,提高了生产成本。
发明内容
本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足,提供一种结构简单,而且使用效果出色的用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构,包括硅片,所述的硅片的表面设有横向均布的子栅线,所述的硅片的表面设有两条纵向分布且相间隔的主栅线槽,所述的主栅线槽的宽度为1.4mm,所述的子栅线的宽度为0.07mm。
在现有正面栅线图形基础上降低子栅线宽度至70μm,并以适应于大规模生产应用为前提;在保证太阳电池及其组件电性能、焊接的可操作性的基础上将现有正面栅线图形的主栅线结构重新设计,中间开槽挖空处理,但保持子栅线的直接串联。
增加了电池片表面有效光照面积,可有效提升太阳能电池短路电流Isc20mA,提高转换效率EFF0.1%。在不损失太阳能电池及其组件电性能和焊接可操作性的同时降低正面银导电浆料的消耗,每片电池正面银导电浆料消耗量降低了25%左右,节约了大量的生产成本。在一定程度上增加了太阳能电池片正面的美观性。
作为优选,所述的主栅线槽和子栅线相垂直分布,两条主栅线槽相间隔62.5mm。
作为优选,所述的硅片的折角为倒角,所述的硅片的长度为123mm,所述的硅片的宽度为122mm。
因此,本实用新型的用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构,结构简单,提高转换效率,降低生产成本。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1:如图1所示,一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构,包括硅片1,所述的硅片1的表面设有横向均布的子栅线2,所述的硅片1的表面设有两条纵向分布且相间隔的主栅线槽3-1,3-2,所述的主栅线槽3-1,3-2的宽度为1.4mm,所述的子栅线2的宽度为0.07mm,所述的主栅线槽3-1,3-2和子栅线2相垂直分布,两条主栅线槽3-1,3-2相间隔62.5mm,所述的硅片1的折角为倒角,所述的硅片1的长度为123mm,所述的硅片1的宽度为122mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的