[实用新型]一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种磁卡读写设备，具体涉及一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头。

背景技术

普通磁卡的矫顽力一般在300 Oe到500 Oe之间，随着对磁卡要求的提高，目前在市面上使用的磁卡逐渐向高矫顽力方向发展，这样磁卡上的数据不容易改写，磁卡跟低磁场接触不容易丢失数据，目前高矫顽力磁卡的矫顽力通常在2750 Oe,有的磁卡的矫顽力甚至超过3600 Oe以及 4000 Oe。针对此情况，就对改写磁卡上数据的磁头提出了更高的要求，要求磁卡写磁头能够改写4000 Oe的磁卡。理论上来讲，要求磁头材料的饱和磁感应强度是矫顽力的三到五倍，因此在选用材料的时候就应该采用饱和磁感应强度要大于1.2T以上的材料。

为此需要一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，能够有效改写高矫顽力磁卡的数据，读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛的能够改写高矫顽力磁卡的磁头。 

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，包括坡莫合金材料制成的磁头芯片、线圈骨架组件、锌铝合金材料制成的磁头支架和外壳，所述磁头支架设置在所述外壳内，所述磁头芯片设置在所述磁头支架内，所述磁头芯片为两个，所述磁头芯片包括芯片前嘴和芯片后脚，所述线圈骨架组件设有通孔，所述两个磁头芯片的芯片后脚分别设置在所述通孔内，并且所述两个磁头芯片相对接形成一个磁道。

优选的，所述两个磁头芯片相对接后形成前嘴缝隙和后脚缝隙，所述前嘴缝隙和后脚缝隙设置在所述磁头的几何中心。

优选的，所述磁头芯片至少由两片芯片叠合而成。

优选的，所述磁头芯片两侧还分别设有至少一片辅助芯片。

优选的，所述磁头为单磁道或者多磁道。

优选的，所述多磁道磁头还设有防止磁道之间相互干扰的屏蔽片，所述屏蔽片设置在相邻两磁道之间，所述屏蔽片至少为一片。  

采用本技术方案的有益效果是：能够有效改写高矫顽力磁卡的数据，读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的俯视示意图。

图3为本实用新型的磁头芯片结构示意图。

图4为本实用新型的线圈骨架组件结构示意图。

图5为本实用新型的辅助芯片结构示意图。

图6为本实用新型的一种实施例。

图中数字和字母所表示的相应部件名称：

1．磁头外壳2.磁头支架3.左磁头芯片4.右磁头芯片5.线圈骨架组件6.芯片前嘴7.芯片后脚8.通孔9.前嘴缝隙10.后脚缝隙11.辅助芯片12.屏蔽片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1，