[实用新型]一种大功率芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201120308437.3 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202178250U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 黄素娟 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 董旭东 |
| 地址： | 225004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率芯片的封装结构，包括芯片、芯片表面金属层和引脚焊片，其特征在于，所述芯片和所述芯片表面金属层通过欧姆接触相连接，所述芯片表面金属层通过低熔点焊锡与所述引脚焊片连接。
2.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于，所述低熔点焊锡为X650焊锡。
3.根据权利要求2所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于，所述焊锡的焊接厚度为6-10um。
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