[实用新型]触控感测装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及触控感测技术，特别是涉及一种适用于感测阵列之触控感测装置。 

背景技术

图1表示单一物体触控感测阵列中一感测列之示意图。参阅图1，感测列10包括配置成一列之复数感测块C1-1～C1-14。一般而言，对感测列10的一次触控侦测会导致一系列的信号读取。举例来说，当单一物体(例如一手指，即单一触控点)11触控感测列10上邻近感测块C1-6与C1-7附近之位置时，自感测块C1-1～C1-14读出的复数感测资料信号之强度呈现一高斯曲线(Gaussian Curve)。另，在一些应用中，感测列10可能被复数物体所触控，参照图2表示两物体触控感测阵列中一感测列之示意图，当一物体20触控感测列10上邻近感测块C1-4附近之位置，而另一物体21触控感测列10上邻近感测块C1-8附近之位置时，自感测块C1-1～C1-14读出的复数感测资料信号之强度呈现两个高斯曲线。 

在习知技术中，根据高斯曲线可区别出真正表示触控感测列10受到触控之实际资料与干扰杂讯。一般而言，大多会设定一最小临界值以判断出实际资料。然而，假使感测列10上被触控的面积相对小，那么此触控所衍生的实际资料将会被视为干扰杂讯，因此在此情况下设定最小临界值给高斯曲线之方式则不再适用。 

因此，期望提供一种触控感测方法及触控感测装置，能精确地侦测出触控 感测阵列之物体位置等触控状况。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种触控感测装置，用以侦测一感测阵列。此感测阵列包括至少一感测列。此触控感测装置包括计算单元、判断单元、以及侦测单元。计算单元根据自感测列撷取之复数感测资料信号获得一感测曲线。判断单元判断此感测曲线之一曲线特征是否与复数预设曲线特征之一者相同。侦测单元根据关于测感测列之判断结果来侦测感测阵列之触控状况。 

在一实施例中，该触控装置包括：一计算单元，用以计算所述感测资料信号中每两感测资料信号之差以获得复数差动值，且根据所述差动值来获得所述感测曲线；一判断单元，用以判断所述感测曲线之一曲线特征是否与复数预设曲线特征之一者相同；以及一侦测单元，用以根据关于所述感测列之所述判断结果来侦测所述感测列之触控状况。 

在另一实施例中，该触控装置包括：一计算单元，用以根据自所述感测列撷取之复数感测资料信号获得一感测曲线；一判断单元，用以判断所述感测曲线之一曲线轮廓是否与复数预设曲线轮廓之一者相同；以及一侦测单元，用以根据关于所述感测列之所述判断结果来侦测所述感测列之触控状况。 

根据本实用新型之触控感测装置，关于待侦测感测列之感测曲线的特征可与预设的曲线特征进行比对。藉由曲线特征的比对，可降低干扰杂讯对于感测阵列的侦测影响，并能提高侦测感测阵列触控状况的精确度。 

附图说明

下面结合具体实施方式及附图，对本实用新型作进一步详细说明。 

图1为单一物体触控感测阵列中一感测列之示意图。 

图2为两物体触控感测阵列中一感测列之示意图。 

图3为根据本实用新型实施例之触控感测装置的示意方块图。 

图4为根据本实用新型实施例图3之感测阵列。 

图5A～5C为一感测列之触控情况以及对应之一系列差动值与曲线轮廓。 

图6A～6B、7A～7B、8A～8B、9A～9B、10A～10B、以及11A～11B为其他样态之一系列差动值以及对应之曲线轮廓。 

图12为根据本实用新型实施例之触控感测方法的示意流程图。 

图13A-13C为根据本实用新型实施例，一感测列之触控情况以及感测资料信号对应之差动值与曲线轮廓的一例子。 

图14A-14C为根据本实用新型实施例，一感测列之触控情况以及感测资料信号对应之差动值与曲线轮廓的另一例子。 

具体实施方式

为使本实用新型之上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。