[实用新型]磁芯结构有效

专利信息
申请号: 201120313037.1 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN202230822U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 李前军;蔡中德 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: H01F3/00 分类号: H01F3/00;H01F27/24;H01F41/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 陈丽燕
地址: 239300*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及磁芯技术领域,尤其涉及一种磁芯结构。

背景技术

如图1所示为现有技术中一种磁芯结构的主视图,图2为图1中磁芯结构的左视图,图3为图2中A-A剖视图。参照附图,在磁芯的磁柱11’、12’、13’的正、背两面各开设一条沿磁芯长度方向X的槽口21’、22’,槽口21’、22’为开设在磁柱中线上的半圆形结构,其中,正、背两面为磁芯的长度方向X和高度方向Z所在的平面。磁芯的生产过程中,在磁芯上开设半圆形槽口时易导致磁芯出现裂纹,从而影响了磁芯的性能。

实用新型内容

针对以上缺陷,本实用新型提出了一种磁芯结构,避免了在开设槽口时导致磁芯出现裂纹,磁芯的性能稳定。

为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案实现:

一种磁芯结构,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向的槽口,所述槽口为方形槽口,其中,左侧面和右侧面为宽度方向和高度方向所在的平面。

优选的,所述方形槽口开设在磁柱的中心线上。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

在本实用新型中,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口,避免了现有技术中在磁芯的磁柱正、背两面各开设一条沿磁芯长度方向X的半圆形槽口时导致磁芯出现裂纹的现象,磁性的性能稳定。

附图说明

下面根据实施例和附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1为现有技术中一种磁芯结构的主视图。

图2为图1中磁芯结构的左视图。

图3为图2中A-A剖视图。

图4为本实用新型提出的一种磁芯结构的主视图。

图5为图4中磁芯结构的左视图。

图6为图5中B-B剖视图。

具体实施方式

如图4所示,为本实用新型提出的一种磁芯结构的主视图。如图5所示,为图4中磁芯结构的左视图。如图6所示,为图5中B-B剖视图。

为了便于描述,设置三维垂直坐标系XYZ,其中,X所在方向为磁芯的长度方向,Y所在方向为磁芯的宽度方向,Z所在的方向为磁芯的高度方向。如图4至图6所示,Y方向垂直于纸面。

本实用新型提出的一种磁芯结构,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口,所述槽口为方形槽口,其中,左侧面和右侧面为宽度方向Y和高度方向Z所在的平面。优选的,所述方形槽口开设在磁柱的中心线上。

图4至图6所示,在磁芯的磁柱11的左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口111、112,在磁芯的磁柱12的左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口121、122,在磁芯的磁柱13的左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口131、132。上述方形槽口均设置在磁柱11、12、13的中心线。

在本实用新型中,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口,避免了现有技术中在磁芯的磁柱正、反两面各开设一条沿磁芯长度方向X的半圆形槽口时导致磁芯出现裂纹的现象,磁性的性能稳定,产品合格率高。

上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述,显然本实用新型的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围内。

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