[实用新型]一种柔性显示器件

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，特别涉及一种柔性显示器件。 

背景技术

柔性材料已经用于平面显示器中发展出柔性显示器件，使显示器可以卷起或者折叠，并且在卷起或者折叠弯曲时，柔性显示器都具有相同的显示性能。 

柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以胜任很多需要曲面显示的领域，如智能卡、电子纸、智能标签、和传统显示器件所能适用的所有领域。并将在未来的显示产品市场中凭借其梦幻般的靓丽外观占领巨大的市场份额。 

如图1所示，目前主要的柔性显示器件是基于有机材料的基板1上制备的，如在聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜上制备的胆甾相液晶显示器、电泳式显示器、有机电致发光显示器等。 

由于基板1隔水、隔氧能力较差，需要在基板1上制备一层SiN_x或SiO₂作为打底层4，但是基板1与金属层、打底层4之间的附着力不好。另外，如果直接在基板1上通过等离子体增强化学气相沉积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，以下简称PECVD）低温沉积的打底层4的膜层疏松、隔水、隔氧效果大打折扣；如果采用较高温度沉积，PECVD沉积时等离子直接轰击基板1产生的有机物尘埃6会污染PECVD设备的沉积腔体和与沉积腔体相联的进气管道和出气管道。 

实用新型内容

（一）要解决的技术问题 

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种新型的柔性显示器件结构，以解决制备过程中高温PECVD沉积时等离子直接轰击有机材料基板产生的有机物尘埃污染PECVD腔体和管道的问题。 

（二）技术方案 

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种柔性显示器件，该柔性显示器件由下至上依次为基板、打底层和显示器件，其特征在于，所述有机材料基板和打底层之间有衬底层，衬底层材料为金属氧化物。 

其中，金属氧化物为ITO（氧化铟锡）、IZO（铟锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、ITZO（铟锡氧化物）中的一种。 

其中，衬底层是使用磁控溅射工艺沉积在基板上的。 

其中，基板为有机材料基板或金属基板。 

其中，打底层材料为SiN_x或SiO₂。 

其中，打底层是使用PECVD工艺沉积在衬底层上的。 

其中，打底层是使用工艺温度为100～250℃的PECVD工艺沉积在衬底层上的。 

其中，打底层是使用溶胶凝胶法沉积在衬底层上的。 

（三）有益效果 

上述技术方案具有如下优点：本实用新型在基板和打底层之间增加了金属氧化物材料的衬底层，防止打底层在PECVD沉积时等离子直接轰击有机材料基板产生的有机物尘埃污染PECVD腔体和管道，因此，在PECVD沉积时可采用较高的工艺温度，提高半导体器件特性；此外，衬底层还能增强各结构层之间的附着力，从而提高了产品的品质。 

附图说明

图1是现有技术中柔性显示器件结构及PECVD沉积时腔体污染示意图； 

图2是本实用新型PECVD沉积打底层示意图； 

图3是本实用新型结构示意图。 

其中，1：基板；2：显示器件；3：衬底层；4：打底层；5：沉积物等离子体；6：有机物尘埃。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。 

实施例一 

如图3所示，本实施例柔性显示器件由下至上依次为基板1、衬底层3、打底层4和显示器件2。基板1的材料为有机材料，打底层4材料为SiO₂，衬底层3材料为ITO。 

如图2所示，上述柔性显示器件的制备过程为：首先通过磁控溅射工艺在基板1上沉积ITO衬底层3。然后在ITO衬底层3上通过PECVD工艺沉积SiO₂打底层4，由于基板1被衬底层3覆盖，因此可以采用较高的工艺温度进行PECVD沉积，例如100～250℃。最后通过常规柔性显示器件制备工艺在打底层上制备显示器件2。由于磁控溅射工艺温度较低，所以在沉积ITO衬底层3时，不会损害基板1，因此在进行PECVD沉积时，腔室内只有沉积物等离子体5而没有有机物尘埃6。