[实用新型]氮化铝单晶的制备装置有效

专利信息
申请号: 201120314515.0 申请日: 2011-08-26
公开(公告)号: CN202359230U 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 庄德津;刘良宏 申请(专利权)人: 青岛铝镓光电半导体有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/38
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明;王宝筠
地址: 266101 山东省青岛市崂*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 氮化 铝单晶 制备 装置
【权利要求书】:

1.一种氮化铝单晶的制备装置,包括升降托盘、升降托盘上的坩埚和套在坩埚外的多孔的保温层,其特征在于,还包括石英玻璃套管、感应加热线圈和第一密封连接件、第二密封连接件,所述石英玻璃套管套在所述保温层和坩埚外,所述感应加热线圈套在石英玻璃套管的外壁上,第一密封连接件位于石英玻璃套管下端与升降托盘之间,第二密封连接件位于石英玻璃套管上端之上,所述石英玻璃套管的下端口和上端口分别由第一密封连接件和第二密封连接件实现密封,所述石英玻璃套管由中空的石英内管和石英外管以及石英内管和石英外管间的冷却水组成。

2.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述第一密封连接件包括:第一法兰、第一O型密封圈、第二O型密封圈和第三O型密封圈,所述第一法兰位于升降托盘与石英玻璃套管下端之间且位于石英玻璃套管的外侧,所述第一法兰的下表面通过第一O型密封圈与所述升降托盘密封连接,第二O型密封圈位于所述第一法兰的内壁与石英内管下端的外壁之间,第三O型密封圈位于所述第一法兰内壁与石英外管下端的外壁之间,石英玻璃套管下端具有轴向伸展的空间。

3.根据权利要求2所述的制备装置,其特征在于,所述第一O型密封圈为双O型密封圈,双O型密封圈之间为真空。

4.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述第二密封连接件包括:第二法兰、盖板、第四O型密封圈、第五O型密封圈和第六O型密封圈,所述第二法兰位于石英玻璃套管上端之上且位于石英玻璃套管的外侧,所述盖板通过第六O型密封圈密封连接所述第二法兰,第四O型密封圈位于所述第二法兰的内壁与石英内管上端的外壁之间,第五O型密封圈位于所述第二法兰内壁与石英外管上端的外壁之间,石英玻璃套管上端具有轴向伸展的空间。

5.根据权利要求2或4所述的制备装置,其特征在于,所述第二O型密封圈和所述第四O型密封圈为双O型密封圈,双O型密封圈之间为真空。

6.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述感应加热线圈套在所述石英玻璃套管的外壁上可移动。

7.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述多孔的保温层的材料为石墨多孔型材,所述多孔的保温层由中空圆柱体和中空圆柱体两端的实心圆盘组成,所述实心圆盘的正中央有冷却通道。

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