[实用新型]还原炉挥发器夹套装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及本一种化工设备，具体涉及一种三氯氢硅与氢气混合的氯硅烷还原生产多晶硅反应器的设备改进，特别涉及一种还原炉挥发器夹套装置。

背景技术

众所周知，世界信息及太阳能光伏技术得到了飞速发展，其所依赖的是硅片制作的各种器件，而硅片的原始材料就是多晶硅。多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料，包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜。

目前国内外80%左右的多晶硅生产企业，都是使用西门子法生产多晶硅。西门子法，是当今生产电子极多晶硅的主流技术，开始于20实际50年代，已经经历了40多年的改进。在多晶硅的生产中，在对不同温度、压力和进料的平衡组成进行计算后，发现温度、压力对反应体系的平衡影响不大，而挥发器进料组成有一定的影响，挥发器供热不稳定，会对料气的稳定供给产生影响，会影响多晶硅的生产中后续工艺的完整性，并造成资源的浪费。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种结构简单、操作方便、连续供热稳定、节省能源、工作效率高的还原炉挥发器夹套装置。

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种还原炉挥发器夹套装置，包括底座以及设置在底座上的挥发器，所述的挥发器外部设置有夹套。

所述的夹套为圆柱形桶状结构，夹套的高度小于挥发器的高度，夹套的内径不小于挥发器的外径。

所述的夹套采用碳钢材料制成。

本实用新型具有如下的积极效果：本产品通过挥发器设备的改造保持稳定的供热，在挥发器外部设置有夹套，夹套为圆柱形桶状结构，夹套的高度小于挥发器的高度，夹套的内径不小于挥发器的外径，夹套采用碳钢材料制成。使其温度更加合理稳定，保证料气的稳定供给。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一种还原炉挥发器夹套装置，包括底座1以及设置在底座1上的挥发器2，所述的挥发器2外部设置有夹套3。所述的夹套3为圆柱形桶状结构，夹套3的高度小于挥发器2的高度，夹套3的内径不小于挥发器2的外径。所述的夹套3采用碳钢材料制成。

SiHCL₃法生产多晶硅的闭环工艺由SiHCL₃还原生产多晶硅体系、Sicl₄转化反应体系、SiHCL₃生产体系，三个反应子系统组成。挥发器设备的改进保证温度稳定使混合气的供气量的稳定保证生产的进行。 

挥发器控制压力为0.2Mpa，H2 、SiHCL3的量分别为3.5:1Kmol时，分别计算不同反应温度（1050-1700k）下进行组成为SiHCL3+ H2+Si H2 CL2和SiHCL3+ H2时，反应的平衡组成的体系，实现能量耦合，可以反应完全，平衡了组成中SiHCL3、Sicl4、H2的量逐渐减小 ，由于温度超过1500k时，发生硅的逆反应，影响多晶硅的生产产量，因而挥发器的适宜操作温度要保证挥发的稳定才能使还原反应的温度范围控制为1300-1400k。

当反应温度为1350k, H2 与SiHCL3的量分别为10、1kmol时，不同压力（0.1-0.7Mpa）下分别计算进料组成SiHCL3+ H2+ SiH2CL2和SiHCL3+ H2时，反应的平衡组成和体系的吸热量，随着压力的升高还原平衡组份中SiHCL3的量增大，Sicl4的量降低，多晶硅的量降低，这是因为SiHCL3还原和分解反应为分子数增大的反应，升高压力不利于反应正向进行，H2 的转化率逐渐减小，说明低压下有利于SiHCL3还原生产多晶硅，压力由0.1Mpa增至0.7Mpa时，SiHCL3反应平衡时体系的吸热量降低6.5%左右。0.2-0.4Mpa时反应多晶硅生产产量最佳。