[实用新型]多层无过孔薄膜电阻器

权利要求书

1.一种薄膜电阻器，其特征在于包括：

具有第一电阻温度系数的第一电阻器层；以及

在所述第一电阻器层上的第二电阻器层，所述第二电阻器层具有不同于所述第一电阻温度系数的第二电阻温度系数。

2.根据权利要求1的薄膜电阻器，其特征在于所述第一电阻器层和所述第二电阻器层形成具有第三电阻温度系数的所述薄膜电阻器，所述第三电阻温度系数在正的每摄氏度百万分之20和负的每摄氏度百万分之20范围内。

3.根据权利要求1的薄膜电阻器，其特征在于所述第一电阻温度系数为正并且所述第二电阻温度系数为负。

4.根据权利要求1的薄膜电阻器，其特征在于所述第一电阻器层具有在50埃和150埃范围内的厚度并且所述第二电阻器层具有在20埃和50埃范围内的厚度。

5.根据权利要求1的薄膜电阻器，其特征在于所述第一电阻器层的厚度小于50埃并且所述第二电阻器层的厚度小于50埃。

6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，进一步包括在所述第二电阻器层上的第三电阻器层并且所述第三电阻器层具有第四电阻温度系数。

7.一种集成电路，其特征在于包括：

衬底；

第一互连，其具有在所述衬底上的第一导体层和在所述第一导体上的第二导体层，所述第一互连具有垂直于所述衬底的第一侧壁；

与所述第一互连隔开的第二互连，所述第二互连具有在所述衬底上的所述第一导体层和在所述第一导体层上的所述第二导体层，所述第二互连具有垂直于所述衬底的第二侧壁；

电阻性元件，其具有形成在所述第一互连和所述第二互连之间的衬底上以及在所述第一互连和所述第二互连的所述第一侧壁和所述第二侧壁上的多个电阻性层，所述多个电阻性层包括：

电连接所述第一互连和所述第二互连的所述第一导体层的第

一电阻性层；以及

形成在所述第一电阻性层上的第二电阻性层。

8.根据权利要求7的集成电路，其特征在于所述第一电阻性层具有第一电阻温度系数并且所述第二电阻性层具有不同于所述第一电阻温度系数的第二电阻温度系数。

9.根据权利要求7的集成电路，其特征在于所述第一电阻性层和所述第二电阻性层是不同的铬硅合金。

10.根据权利要求7的集成电路，其特征在于所述第一电阻温度系数为正并且所述第二电阻温度系数为负。