[实用新型]场效应半导体器件有效
| 申请号： | 201120320838.0 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN202384342U | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 半导体器件 | ||
1.一种场效应半导体器件，包括：
半导体本体，其特征在于，该半导体本体包括：
主水平表面和第一导电类型的第一半导体区域；
布置在第一半导体区域和主水平表面之间的第二导电类型的第二半导体区域，该第一半导体区域和第二半导体区域形成pn结；
布置在主水平表面上的绝缘层；
布置在绝缘层上的第一金属化；
从主水平表面开始垂直延伸到pn结下面的深沟槽，该深沟槽包括与第一半导体区域和第二半导体区域绝缘的导电区域；
窄沟槽，包括从第一金属化开始、穿透绝缘层延伸且至少延伸到导电区域的多晶半导体区域；以及
包括水平延伸的pn结的垂直多晶二极管结构，该垂直多晶二极管结构至少部分地布置在窄沟槽中。
2.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，该多晶二极管结构包括齐纳二极管。
3.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，水平延伸的pn结在多晶半导体区域和导电区域之间形成。
4.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，窄沟槽包括水平延伸的pn结。
5.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，深沟槽包括水平延伸且窄沟槽包括比深沟槽的水平延伸小的水平延伸。
6.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，还包括通过深沟槽与第二半导体区域空间隔开的第二导电类型的另外的半导体区域、包括通过窄沟槽且在第一金属化和另外的半导体区域之间形成的整流结的另外的电流路径。
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