[实用新型]单相桥式半控整流电源

权利要求书

1.单相桥式半控整流电源，其特征是包括：半控桥式整流电路，所述半控桥式整流电路为二极管整流桥中将与输出正端相连的两个二极管替换为两个可控硅；所述半控桥式整流电路的输入端接220V交流输入，220V交流输入线路上连接有电网波形采样电路，所述电网波形采样电路的输出端连接整流电路、同步电路，整流电路的输出端连接过零脉冲电路，过零脉冲电路的输出端连接锯齿波发生电路，锯齿波发生电路的输出端连接触发角调节电路，触发角调节电路、同步电路和方波生成电路的输出端连接驱动信号生成电路，驱动信号生成电路的输出端连接可控硅驱动电路，可控硅驱动电路输出两路信号分别接半控桥式整流电路中两个可控硅。

2.如权利要求1所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述220V交流输入线路上连接有过流保险丝。

3.如权利要求1所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述电网波形采样电路、整流电路、同步电路和过零脉冲电路结构为：变压器（T1）初级绕组接220V交流输入，次级绕组输出交流6V接二极管整流桥的输入端，次级绕组的一端通过第二电阻（R2）接第二电压跟随器（IC1B）的正输入端，次级绕组的另一端接地并通过第一电阻（R1）接第二电压跟随器（IC1B）的正输入端，第二电压跟随器（IC1B）的输出通过第六电阻（R6）接第三电压比较器（IC2C）的负输入端，第三电压比较器（IC2C）正输入端接地，第三电压比较器（IC2C）输出端通过上拉电阻接+5V电压，并连接第一非门（IC3A）的输入端，第一非门（IC3A）的输出端输出正半周的同步信号（A+），再连接到第二非门（IC3B）输出负半周的同步信号(A-)；所述二极管整流桥的负输出端接地，正输出端接第一电压跟随器（IC1A）的正输入端，第一电压跟随器（IC1A）的输出接第一电压比较器（IC2A）的负输入端，第一电压比较器（IC2A）的正输入端通过第四电阻（R4）接+5V电压并通过第三电阻（R3）接地，第三电阻（R3）两端并联有第一电解电容（E1），第一电压比较器（IC2A）的输出端通过第五电阻（R5）接+5V电压并输出过零脉冲。

4.如权利要求3所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述锯齿波发生电路包括：过零脉冲接到模拟开关CD4066的控制端，模拟开关CD4066与第一电容（C1）并联，第一电容（C1）一端接运放（IC4A）的负端和第十电阻（R10）的一端，第十电阻（R10）另一端通过第八电阻（R8）接+5V电压并通过第九电阻（R9）接地，第九电阻（R9）两端并联第二电解电容（E2）；第一电容（C1）另一端接运放（IC4A）输出端，运放（IC4A）正端接地，运放（IC4A）输出端输出与电网同频的锯齿波形。

5.如权利要求4所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述触发角调节电路包括：所述运放（IC4A）输出端接第四电压比较器（IC2D）的正输入端，第四电压比较器（IC2D）的负输入端接电位器（W1）的调节端和一个固定端并通过第十一电阻（R11）接+5V电压，电位器（W1）的另一固定端接地，电位器（W1）两个固定端并联有第三电解电容（E3）；第四电压比较器（IC2D）的输出端通过第十二电阻（R12）接+5V电压，输出可控硅触发角波形。

6.如权利要求5所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述驱动信号生成电路包括第一～第四与门，第一与门（IC6A）的第一输入端接第一非门（IC3A）输出的正半周的同步信号（A+），第二与门（IC6B）的第二输入端接第二非门（IC3B）输出的负半周的同步信号(A-)，第一与门（IC6A）的第二输入端和第二与门（IC6B）的第一输入端接所述可控硅触发角波形，第一与门（IC6A）输出端接第三与门（IC6C）第一输入端，第二与门（IC6B）输出端接第四与门（IC6D）第二输入端，第三与门（IC6C）的第二输入端和第四与门（IC6D）的第一输入端接方波生成电路输出的方波，第三与门（IC6C）和第四与门（IC6D）输出可控硅触发脉冲。

7.如权利要求6所述的单相桥式半控整流电源，其特征是所述可控硅驱动电路包括两个相同的驱动电路，其中一个包括：一路可控硅触发脉冲通过第十五（R15）接第一功率管（Q1）的基极，第一功率管（Q1）的发射极接地，集电极通过第五二极管（D5）和第十六电阻（R16）接+15V电压；脉冲变压器（T2）初级的一端通过第十七电阻（R17）接+15V电压，初级另一端接第一功率管（Q1）集电极；脉冲变压器（T2）次级一端接第六二极管（D6）的阳极，第六二极管（D6）阴极接第七二极管（D7）阴极、第十八电阻（R18）一端、第四电容（C4）一端和一个可控硅控制端，脉冲变压器（T2）次级另一端接第七二极管（D7）阳极、第十八电阻（R18）另一端、第四电容（C4）另一端。