[实用新型]具有埋层二氧化硅的压力传感器结构有效
| 申请号： | 201120321842.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN202216793U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙海鑫;韩民俊;乔康;顾天刚;陈艳 | 申请（专利权）人： | 江苏奥力威传感高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225000 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 二氧化硅 压力传感器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.具有埋层二氧化硅的压力传感器结构，包括硅片基体，其特征在于，硅片基体的上表层是单晶硅层，在单晶硅层的下部硅片基体内是一层二氧化硅埋层，所述二氧化硅埋层不与单晶硅层直接接触。
2.根据权利要求1所述的具有埋层二氧化硅的压力传感器结构，其特征在于，在单晶硅层上设置有偶数个金属连线孔，所述金属连线孔贯通到所述二氧化硅埋层。
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