[实用新型]还原炉锥形硅芯沉积基体

说明书

一、技术领域

本实用新型涉及一种还原炉锥形硅芯沉积基体，它属于多晶硅生产领域。 

二、背景技术

传统的还原炉硅芯沉积基体为两根长硅芯下端分别插在两个石墨电极，上端丫口成弧形，用一短硅芯(通常称为：桥架)放置在两长硅芯顶端，形成一闭合回路，生产时分别在两硅芯沉积基体上加载高压电源，对硅芯进行加热，硅芯表面温度达1000℃左右时，氢气与三氯氢硅反应生成的硅在硅芯表面沉积，使得硅芯逐渐长粗，最终长成直径180mm左右的成品。对于硅芯沉积基体工艺目前国内普遍面临以下问题： 

1、长硅芯弧形丫口与硅芯桥架的接触面积小，电阻大，击穿困难，导致电耗高；同时，击穿过程中局部温度过高，易倒炉，致多晶硅生产成本居高不下。 

2、长硅芯顶端的弧形丫口对硅芯桥架固定效果欠佳，还原炉进料时，气流大，可能把桥架吹落导致停炉。 

3、长硅芯与硅芯桥架需要的硅芯生产方法不同，使得生产工艺复杂，致生产成本提高。 

三、实用新型内容 

本实用新型的目的是提供一种新型的还原炉锥形硅芯沉积基体，其具有优点：一、增大长硅芯与硅芯桥架的接触面积，降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻，缩短预热时间，降低功耗，减少倒炉；二、硅芯桥架两端的孔固定住两根长硅芯，保证硅芯桥架的稳定性，减少倒炉率；三、长硅芯和硅芯桥架加工容易，降低生产成本。 

本实用新型的目的是这样来实现的：它包括：硅芯桥架、两根相同的长硅芯，硅芯桥架的两端设有锥形孔，在长硅芯顶端设有锥形顶部，其锥形顶部与硅芯桥架两端锥形孔相对应，两根长硅芯顶端的锥形顶部分别插进硅芯桥架两端的锥形孔内，所述的长硅芯的锥度与硅芯桥架两端锥形孔的锥度相同。 

本实用新型还原炉锥形硅芯沉积基体，其具有以下优点： 

其一：增大长硅芯与硅芯桥架的接触面积，降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻，缩短预热时间，降低功耗，减少倒炉； 

其二：长硅芯与硅芯桥架的接口完全接触，使得接触电阻降低，缩短击穿时间，降低能耗。 

其三、硅芯桥架的孔与长硅芯的锥度完全相同，保证了进料时硅芯桥架的稳定性，大大降低了还原炉的倒炉率。 

其四：整套硅芯结构简单，生产方便，安装容易，降低了生产成本。 

四、附图说明

附图1为本实用新型的结构图。 

附图2为本实用新型的分解图。 

其中： 

1----硅芯桥架，2----锥形孔，3----锥形顶部，4----两根长硅芯。 

五、具体实施方式

下面结合附图，来对本实用新型作进一步的详细描述： 

参照附图，本实用新型还原炉锥形硅芯沉积基体，它包括：硅芯桥架1、两根相同的长硅芯4，硅芯桥架1的两端设有锥形孔2，在长硅芯4顶端设有锥形顶部3，其锥形顶部3与硅芯桥架1两端锥形孔2相对应，两根长硅芯4顶端的锥形顶部3分别插进硅芯桥架1两端的锥形孔2内；所述的长硅芯4的锥度与 硅芯桥架两端锥形孔2的锥度相同。硅芯桥架1把两根长硅芯连接成一闭合回路，加载到长硅芯两端的电流把整套硅芯沉积基体加热到合适的反应温度，硅芯桥架1两端的锥形孔2固定住两根长硅芯，使得整套硅芯沉积基体结构稳定，实际生产中，倒炉率接近于零。