[实用新型]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201120327244.2 申请日: 2011-08-26
公开(公告)号: CN202259321U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 刘莹 申请(专利权)人: 刘莹
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214213 江苏省宜兴*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单面 电极 多晶 薄膜 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,包括透明衬底,,设于透明衬底上的钝化层,其特征在于,结构为:

a)所述钝化层上方设一层在其表面进行栅状或者梳状掺杂的多晶硅膜层,以形成多个“n”形P N结进行光电转化效应:

b)所述晶硅薄膜表面设置与掺杂形状相适配的第一金属导电极和第二金属导电极,以引出P N结产生的电流。

2.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅薄膜为N型多晶硅薄膜,其上表面与第二金属导电极之间设置N+掺杂层;

或者,所述多晶硅薄膜为P型多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜上表面与第二金属导电极之间设置P+掺杂层。

3.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅薄膜厚度设为1μm-40μm。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述PN结掺杂宽度设为0.01mm~5mm。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述PN结掺杂深度设为0.1μm~1μm。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,第一金属导电极与第二金属导电极形状设为与PN结形状相适配的栅状或者梳状。

7.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于衬底设一层增加光透率的绒面结构。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘莹,未经刘莹许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120327244.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top