[实用新型]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201120327244.2 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN202259321U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
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地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单面 电极 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,包括透明衬底,,设于透明衬底上的钝化层,其特征在于,结构为:
a)所述钝化层上方设一层在其表面进行栅状或者梳状掺杂的多晶硅膜层,以形成多个“n”形P N结进行光电转化效应:
b)所述晶硅薄膜表面设置与掺杂形状相适配的第一金属导电极和第二金属导电极,以引出P N结产生的电流。
2.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅薄膜为N型多晶硅薄膜,其上表面与第二金属导电极之间设置N+掺杂层;
或者,所述多晶硅薄膜为P型多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜上表面与第二金属导电极之间设置P+掺杂层。
3.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅薄膜厚度设为1μm-40μm。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述PN结掺杂宽度设为0.01mm~5mm。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,所述PN结掺杂深度设为0.1μm~1μm。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,第一金属导电极与第二金属导电极形状设为与PN结形状相适配的栅状或者梳状。
7.根据权利要求1所述的一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于衬底设一层增加光透率的绒面结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的