[实用新型]开关电容型D/A变换器有效
申请号: | 201120327273.9 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN202340220U | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 中村圭 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 电容 变换器 | ||
1.一种开关电容型D/A变换器,接受m位的输入数据,并输出与其值相对应的模拟信号,其中m是自然数,其特征在于,包括:
分别对所述输入数据的每一位设置的m个开关电路,其分别包含在所述输入数据的对应位为1时导通、为0时关断的第一开关组和在所述对应位为0时导通、为1时关断的第二开关组;
第一反相器,其将栅极信号输出到所述第一开关组的各开关;以及
第二反相器,其将栅极信号输出到所述第二开关组的各开关,
所述第一开关组和所述第二开关组的各开关由P沟道MOSFET构成,
在所述第一反相器和所述第二反相器的各下侧电源端子上施加接地电压。
2.根据权利要求1所述的开关电容型D/A变换器,其特征在于,所述P沟道MOSFET的背栅极被固定在比输入到所述第一反相器和所述第二反相器的上侧电源端子上的电压低的电位。
3.根据权利要求1或2所述的开关电容型D/A变换器,其特征在于,对所述第一反相器、第二反相器的上侧电源端子上提供DC/DC变换器的输出电压。
4.根据权利要求1或2所述的开关电容型D/A变换器,其特征在于,所述输入数据是数字音频信号。
5.一种开关电容型D/A变换器,接受m位的输入数据,并输出与其值相对应的模拟信号,其中m是自然数,其特征在于,包括:
分别对所述输入数据的每一位设置的m个开关电路,其分别包含在所述输入数据的对应位为1时导通、为0时关断的第一开关组和在所述对应位为0时导通、为1时关断的第二开关组;
第一反相器,其将栅极信号输出到所述第一开关组的各开关;
第二反相器,其将栅极信号输出到所述第二开关组的各开关;
带隙基准电路,其生成基准电压;以及
线性调节器,其输出与所述基准电压相对应的电压,
所述第一开关组和所述第二开关组的各开关由N沟道MOSFET构成,
对所述第一反相器和所述第二反相器的上侧电源端子上提供所述线性调节器的输出电压。
6.一种开关电容型D/A变换器,接受m位的输入数据,并输出与其值相对应 的模拟信号,其中m是自然数,其特征在于,包括:
分别对所述输入数据的每一位设置的m个开关电路,其分别包含在所述输入数据的对应位为1时导通、为0时关断的第一传输门组和在所述对应位为0时导通、为1时关断的第二传输门组;
第一反相器,其将栅极信号输出到所述第一传输门组的N沟道MOSFET和所述第二传输门组的P沟道MOSFET;
第二反相器,其将栅极信号输出到所述第一传输门组的P沟道MOSFET和所述第二传输门组的N沟道MOSFET;
带隙基准电路,其生成基准电压;以及
线性调节器,其接受所述基准电压,
在所述第一反相器和所述第二反相器的下侧电源端子上施加接地电压,
在所述第一反相器和所述第二反相器的上侧电源端子上施加所述线性调节器的输出电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120327273.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。