[实用新型]一种半导体泵浦碱金属蒸气激光MOPA系统

权利要求书

1.一种半导体泵浦碱金属蒸气激光的MOPA系统，其特征在于：半导体激光列阵(1)发出的泵浦光经快轴准直镜(2)、第一平凸透镜(3)、第一半玻片(4)、第二平凸透镜(5)后经全息光栅(6)反射至第一反射镜(7)反射后，再经柱透镜(8)、第三平凸透镜(9)、第四平凸透镜(10)至分束镜(11)分为两路泵浦光，经分束镜(11)后的一路泵浦光经第一凸透镜(12)至第一偏振分束镜(13)，经主振荡池(14)到高反镜(16)，高反镜反射的光再次经主振荡池(14)后入射至第一偏振分束镜(13)，经输出耦合镜(17)到第二反射镜(18)、第三反射镜(19)、第四反射镜(20)、第二半波片(21)、第二凸透镜(22)至第二偏振分束镜(23)，光经放大池(26)、第三偏振分束镜(28)后分为两路光，至第三偏振分束镜的一路输出光为碱金属蒸气激光接功率计(30)，另一路输出光为剩余泵浦光(29)；经分束镜(11)的另一路泵浦光至第三半波片(24)、第三凸透镜(25)，在第二偏振分束镜(23)与另一路光重叠；在同一直线上的各元件的中心在同一光轴上。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光列阵泵浦碱金属蒸气激光的MOPA系统，其特征在于：所述的半导体激光列阵(1)前端面镀有抗反膜，且其前端在第一平凸透镜(3)的焦点上，第一半玻片(4)同时在第一平凸透镜(3)、第二平凸透镜(5)的焦点上，全息光栅(6)在第二平凸透镜(5)的焦点上，快轴准直镜(2)距半导体激光列阵前端的距离在实验中调节确定，以准直后的光斑边缘清晰亮度集中为准；第三平凸透镜(9)和柱透镜(8)的距离为两者焦距之和，第三平凸透镜(9)和第四平凸透镜(10)的距离为两者焦距之和。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光列阵泵浦碱金属蒸气激光的MOPA系统，其特征在于：所述的主振荡池(14)在第一凸透镜(12)的焦距以内。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光列阵泵浦碱金属蒸气激光的MOPA系统，其特征在于：所述的放大池(26)在第二凸透镜(22)的焦距以内。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光列阵泵浦碱金属蒸气激光的MOPA系统，其特征在于：所述的第一反射镜(7)与全息光栅(6)平行，第二反射镜(18)与第三反射镜(19)平行，第三反射镜(19)与第四反射镜(20)垂直。