[实用新型]沉积腔

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种沉积腔。

背景技术

图1所示为现有技术的沉积腔的结构示意图，所述沉积腔包括腔体101、设置于所述腔体101内的加热台(heater block)102、与所述腔体101顶端连接的反应气体进气通道103和清洗气体进气通道104、以及设置于所述腔体101底端的真空泵105；待沉积薄膜的晶圆放置在所述加热台102上，所述加热台102用于承载晶圆的表面1021上设有沟槽(groove)1022，所述沟槽1022用于放置叉(fork)106，所述叉106可作升降运动，当需要转动晶圆时，所述叉106上升直至接触到晶圆的背面，由所述叉106转动晶圆，此时，所述叉106脱离所述沟槽1022，当晶圆转动好后，所述叉106下降回到所述沟槽1022内。

沉积腔在使用一段时间后，在腔体内壁上以及置于腔体内的各部件(例如加热台)的表面上会残留下聚合物颗粒，这些聚合物颗粒主要是沉积制程中反应气体相互作用而产生的物质，这些聚合物颗粒会污染后续沉积制程，因此，沉积腔使用一段时间后要对其进行清洗。

图2所示为现有技术的沉积腔清洗方法的流程图，现有技术的沉积腔清洗方法包括以下步骤：

步骤S11，将沉积好薄膜的晶圆移出所述腔体101，关闭所有进气通道；

具体地，这里的进气通道主要指所述反应气体进气通道103和清洗气体进气通道104，所述反应气体进气通道103用于输送沉积反应所需的各种反应气体，所述反应气体进气通道103包括多路进气管道，每一路进气管道输送一种反应气体，所述清洗气体进气通道104用于输送清洗沉积腔所需的各种清洗气体，同样地，所述清洗气体进气通道104包括多路进气管道，每一路进气管道输送一种清洗气体；

步骤S12，对所述腔体101进行抽真空，使所述腔体101内的气压降至基础压强(base presure)；

具体地，可启动所述真空泵105对所述腔体101进行抽真空，所述基础压强例如为0.1托(torr)；

步骤S13，沉积腔的连锁保护装置(图1中未示)清零，检测所述腔体101内的温度；

此时，所述腔体101内的温度应与沉积制程的温度相同，例如400℃；

步骤S14，下降所述叉16，使所述叉16置于所述沟槽1022内(如图1所示的位置)；

步骤S15，打开所述清洗气体进气通道104，通过所述清洗气体进气通道104向所述腔体101内输入清洗气体，清洗沉积腔；

具体地，输入的清洗气体用于清洗沉积制程中残留在所述腔体101的内壁上、所述腔体101内的各部件的表面上的聚合物颗粒，所述清洗气体通常包括C₂F₆和O₂。

在现有技术中，清洗沉积腔的过程中，所述叉16置于所述沟槽1022内，使得所述沟槽1022的内侧壁及底部很难被清洗到，因此，沉积腔即使经过清洗流程，还是会在所述沟槽1022的内侧壁及底部残留下聚合物颗粒，这些聚合物颗粒会通过所述叉16黏附到后续沉积制程中的晶圆的背面上，当背面黏附有聚合物颗粒的晶圆放置于晶舟时，这些聚合物颗粒又会落到下层的晶圆的正面上，成为表面颗粒(surface particle)。表面颗粒是严重影响半导体器件制造质量的重要因素之一，是半导体制造工艺中应当尽量避免的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种沉积腔，能有效清除加热台的沟槽内的聚合物颗粒，防止在晶圆正面产生表面颗粒，从而提高产品良率。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种沉积腔，包括腔体、设置于所述腔体内的加热台、叉、设置于所述腔体外且与所述腔体连接的第一清洗气体进气通道、以及第二清洗气体进气通道，其中，所述加热台用于承载晶圆的表面上设有沟槽，所述沟槽用于放置所述叉，所述第二清洗气体进气通道设置于所述腔体外，且与所述腔体的侧壁连接。

上述沉积腔，其中，所述第二清洗气体进气通道包括多路进气管道，每一路进气管道的一端设有一喷嘴，所述喷嘴与所述腔体靠近沟槽的侧壁连接，所述喷嘴的水平高度比所述加热台用于承载晶圆的表面的水平高度高，且所述喷嘴的出气口向靠近加热台的方向倾斜。

上述沉积腔，其中，所述喷嘴的出气口与所述加热台用于承载晶圆的表面之间的高度差为2～5cm。

上述沉积腔，其中，所述喷嘴与所述腔体侧壁之间的夹角为30～50°。